Samsung lance de la mémoire Flash 3D dite verticale

publié le 06 Août 2013 à 16:04 par mantidor

Un peu à l'image de la eDRAMM d'Intel dans son processeur Haswell qui empile les puces mémoire dédiées au GPU les unes sur les autres, Samsung vient d'annoncer l'arrivée prochaine de mémoire 3D vertical NAND qui exploite le même principe.

Ainsi Samsung est capable d'empiler des puces NAND, pour le moment de 16 Go et sur 24 couches, ce qui pourrait nous donner 384 Go d'espace de stockage.

Pour le moment, Samsung destine cette nouvelle 3D V-NAND aux périphériques nomades, avant de l'intégrer aux SSD. Voilà qui va probablement démocratiser les hautes capacités de stockage dans nos terminaux.