Samsung annonce sa V-NAND de 5 ème génération, encore plus rapide
publié le 11 Juillet 2018 à 09:23 par mantidor
Ce jour, Samsung annonce l'arrivée de sa mémoire V-NAND de 5 ème génération. Une mémoire qui est maintenant composée de 96 couches et qui atteint une densité de 256 Gb. Elles introduisent également une interface Toggle DDR 4.0, permettant à ces dernière d'être 40 % plus rapide que les puces V-NAND 64 couches de la génération précédente. Elles atteindraient des vitesses de 1.4 Gbps.
Mais ce n'est pas tout. En effet, la vitesse d'écriture des puces a été grandement améliorée en étant 30 % plus rapide que sur les puces 64 couches et le temps de réponse en lecture passe à 50 microsecondes. Du coté de la consommation, cette dernière reste inchangée par rapport aux puces de 4 ème génération, car les puces de 5 ème génération fonctionnent à 1.8 v contre 1.2 v avant.
Enfin, Samsung annonce que le rendement de la production a augmenté de 30 %.