Samsung vient d'annoncer un changement dans son procédé de fabrication de la mémoire DDR3, le géant Coréen va ainsi passer d'une finesse de gravure de classe 30 nm, à une finesse de gravure de classe 20 nm.
Ce changement va permettre à la marque un gain de productivité de l'ordre de 50 %, et les nouveaux modèles produits consommeront, eux, pas moins de 40 % d'énergie en moins. Samsung produira dans un premier temps des modules de 2 Gb max, et des 4 Gb ultérieurement, afin de pouvoir proposer des barrettes en 16 et 32 Go.
Ce changement va permettre à la marque un gain de productivité de l'ordre de 50 %, et les nouveaux modèles produits consommeront, eux, pas moins de 40 % d'énergie en moins. Samsung produira dans un premier temps des modules de 2 Gb max, et des 4 Gb ultérieurement, afin de pouvoir proposer des barrettes en 16 et 32 Go.
source : TC
Marque : Samsung
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Posté le 22 Septembre 2011 à 09:37 par Aurélien Lagny
