Samsung annonce la disponibilité de sa mémoire Flashbolt HBM2E avec une grande bande passante
publié le 10 Février 2020 à 15:22 par jonh
Samsung présente sa mémoire Flashbolt HBM2, il s'agit d'une nouvelle génération de mémoire HBM2, avec une bande passante bien plus importante.
Samsung annonce en effet que sa mémoire Flashbolt HBM2 peut atteindre des débits de 3,2 gigabits par seconde (Gbps) par puce, ce qui est 33% plus élevé que la génération précédente de mémoire HBM2, et que chaque die peut atteindre une capacité de 16 Go, ce qui permet une bande passante théorique de 410 gigabits par seconde (Gbps).
La postérité retiendra que Jinman Han, vice président des produits mémoire de Samsung, a déclaré "Flashbolt's industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications. We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our 'high-performance, high capacity, and low power' memory segment to meet market demand."
Que l'on peut comprendre comme on est hyper content de nos avancées, on poursuit nos recherches dans le domaine et cette nouvelle mémoire devrait être utile au Data Center, aux machines dédiées à l'apprentissage profond...
[MAJ] Après l'annonce, il est venu le temps de la disponibilité , la mémoire Flashbolt HBM2E le sera bientôt, Samsung annonce que la production débutera au cours du premier semestre 2020 et les expéditions devraient suivre peu de temps après. Entre temps, Samsung déclare avoir testé des débits de 4.2 Gbps, ce qui devrait permettre d'atteindre une bande passante théorique de 538 Gbps par puce de 16 Go.