Intel et Numonyx planchent depuis quelques temps sur la mémoire à changement de phase, ou PCM dans la langue de Shakespeare (Phase Change Memory). Cette technologie non volatile conjugue les avantages respectifs des différents supports existants actuellement.
Si les avancées sont encore à la phase expérimentale, une puce de 64 Mo a tout de même vue le jour et cette réalisation laisse entrevoir des modules de plus petite taille, de plus grande capacité et qui consomment moins d'énergie.
Cette cellule mémoire à intégration verticale, baptisée PCMS (Phase Change Memory and Switch) et composée d’un élément PCM ainsi que d’une couche de commutation OTS (Ovonic Threshold Switch) pour former une véritable matrice de points de croisement. La capacité d’empiler des couches de PCMS permet de densifier la mémoire tout en conservant les caractéristiques de performances des PCM, ce qui est de plus en plus difficile à obtenir avec les technologies mémoire habituelles.
A l'heure ou les technologies classiques de mémoire flash sont doucement mais surement en train d'atteindre leurs limites physiques et technologiques, les matrices mémoires PCM et PCMS ont de l'avenir.
Il sera possible d'obtenir plus de renseignements sur ce nouveau type de cellule mémoire et sur les matrices de points de croisement au coeur de l'article " A Stackable Cross Point Phase Change Memory ", qui sera présenté à l’occasion de l’édition 2009 de l’International Electron Devices Meeting de Baltimore. Cet article coécrit par Intel et Numonyx, sera présenté par DerChang Kau (Senior Principal Engineer d’Intel).
Cowcotland veille au grain ... Nous ne manquerons pas de compléter l'information dés la diffusion de cet article.
Si les avancées sont encore à la phase expérimentale, une puce de 64 Mo a tout de même vue le jour et cette réalisation laisse entrevoir des modules de plus petite taille, de plus grande capacité et qui consomment moins d'énergie.
Cette cellule mémoire à intégration verticale, baptisée PCMS (Phase Change Memory and Switch) et composée d’un élément PCM ainsi que d’une couche de commutation OTS (Ovonic Threshold Switch) pour former une véritable matrice de points de croisement. La capacité d’empiler des couches de PCMS permet de densifier la mémoire tout en conservant les caractéristiques de performances des PCM, ce qui est de plus en plus difficile à obtenir avec les technologies mémoire habituelles.
A l'heure ou les technologies classiques de mémoire flash sont doucement mais surement en train d'atteindre leurs limites physiques et technologiques, les matrices mémoires PCM et PCMS ont de l'avenir.
Il sera possible d'obtenir plus de renseignements sur ce nouveau type de cellule mémoire et sur les matrices de points de croisement au coeur de l'article " A Stackable Cross Point Phase Change Memory ", qui sera présenté à l’occasion de l’édition 2009 de l’International Electron Devices Meeting de Baltimore. Cet article coécrit par Intel et Numonyx, sera présenté par DerChang Kau (Senior Principal Engineer d’Intel).
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source : Cowcotland
Marque : Intel
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Posté le 30 October 2009 à 08:00 par Aurélien Lagny
