9 mois après avoir produit une puce mémoire de 1Gb avec la technologie 54 nm, Hynix ne s'est pas arrêté là et refait parler de lui avec une puce mémoire de 2 Gb DDR2. Cette nouvelle puce utilise la technologie 40 nm, travaille à 1066 MBps, pour un voltage économique de 1.2 V, on est bien loin des 1.8 V souvent exigé pour les puces de DDR3, et disposera d'une bande passante de 4.26 Gb/s.
Le produit se prédestine plutôt à l'univers mobile tel que les smart-phones.
Les nouvelles puces Hynix devraient entrer en production massive à la mi-2010.
Le produit se prédestine plutôt à l'univers mobile tel que les smart-phones.
Les nouvelles puces Hynix devraient entrer en production massive à la mi-2010.
source : TCMag
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Posté le 13 Janvier 2010 à 15:29 par Jonathan Riemain
