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Intel Tri-Gate : Le transistor passe à la 3D


il n'est plus à plat
Intel vient de faire l'annonce qu'une nouvelle technologie de fabrication pour ses transistor, Tri-Gate, que l'on peut traduite pas Triple Porte. Jusqu'à présent, on peut dire que le transistor était posé à plat sur le substrat, et donc, assez logiquement, la porte d'entrée était relativement petit, ce qui provoquait pas mal de perte, notamment au niveau du courant.

Intel Tri-Gate : Le transistor passe à la 3D


Mais prochainement, et surtout dès les processeurs Ivy Bridge en 22 nm, les transistors seront implanté de manière différente, sur une sorte de grille, qui fera que le transistor sera en contact avec le substrat sur pas moins de trois cotés, d'ou trois entrée, d'ou Tri-Gate.

Intel Tri-Gate : Le transistor passe à la 3D
Intel Tri-Gate : Le transistor passe à la 3D


Cette nouvelle tecnologie permettrait tout d'abord de limiter les pertes électriques car il y a un bien meilleur contact, mais ce n'est pas tout, selon les chiffres donnés par Intel, une hausse des performances de 37 % est également au programme et elle s'accompagne d'une réduction de la consommation de 50 %. De plus, soyons clair, comme la finesse de gravure est moindre, tout comme la consommation, les vitesses devraient aussi en profiter. Enfin, point non négligeable, le Tri-Gate permettrait également d'implanter plus de transistors, donc de pousser encore un peu plus loin la puissance disponible... Vivement.
source : Cowcotland
Marque : Intel
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Posté le 05 Mai 2011 à 10:06 par Aurélien Lagny


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