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Samsung grave ses transistors en 14 nm et en Tri-Gate

Nous ne pouvons pas vraiment parler de Tri-Gate, car cette technologie appartient à Intel, mais elle permet de mieux comprendre ou en est Samsung avec ses Transistors. La technologie, chez le géant Coréen, se nomme FinFet et reprend en fait le même principe que le Tri-Gate d'Intel qui est arrivé avec les Ivy Bridge. Le contant se fait maintenant sur trois faces pour plus d'efficacité.

Samsung grave ses transistors en 14 nm et en Tri-Gate


Les transistors de Samsung seront donc, très prochainement gravés en 3D, comme le montre le schéma ci-dessus.

Au passage, la marque annonce que les premiers transistors de test FinFet ont été produits et qu'en plus la finesse de gravure employée est de seulement 14 nm...

Samsung exploitera cette nouvelle avancée durant l'année 2013, dans différents composants, mémoire ou encore SoC.
source : Engadget
Marque : Samsung
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