Durant le dernier IDF 2016, qui s'est déroulé en Chine, Intel a reparlé de sa nouvelle mémoire Flash, la 3D X point. Une mémoire qu'Intel développe avec Micron et qui est donnée de 1000 à 1300 fois plus rapide que la mémoire RAM et NAND pour résumer, tout en offrant une densité exceptionnelle, de 8 à 10 fois supérieure à celle de la RAM. Dernier point et non des moindres, cette mémoire serait beaucoup plus endurante et pas forcément plus chère à produire.
source : Fudzilla
Marque : Intel
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