Nous le voyons l'avenir des SSD passe par le développement de la NAND Flash. INTEL a déjà mené sa révolution avec la 3DXPoint, et c'est maintenant au tour de Samsung d'y passer avec la Z-NAND. Une mémoire qui mêle les qualités de la mémoire RAM et de la mémoire NAND. On peut donc parler de rapidité, de débits, mais aussi d'endurance.
Pour le moment, on ne connait pas encore tout de la Z-NAND, mais on sait que son temps d'accès est 70 % inférieur à celui de la NAND actuelle utilisée dans les SSD NVMe de la marque par exemple.
Le premier modèle de la marque se branche en PCI Express 4x, et pourra lire et écrire à quelques 3200 Mo/sec. Pour les IOPs nous serons à 750 000 en lecture et 160 000 en écriture. Le SSD devrait être livrable dans des versions de 1, 2 ou 4 To. Pas de prix et pas de date pour le moment.
Pour le moment, on ne connait pas encore tout de la Z-NAND, mais on sait que son temps d'accès est 70 % inférieur à celui de la NAND actuelle utilisée dans les SSD NVMe de la marque par exemple.
Le premier modèle de la marque se branche en PCI Express 4x, et pourra lire et écrire à quelques 3200 Mo/sec. Pour les IOPs nous serons à 750 000 en lecture et 160 000 en écriture. Le SSD devrait être livrable dans des versions de 1, 2 ou 4 To. Pas de prix et pas de date pour le moment.
source : TPU
Marque : Samsung
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Posté le 21 Mars 2017 à 07:38 par Aurélien Lagny
