Le process de fabrication 10 nm d'Intel permet de multiplier la densité des transistors par 2.7 par rapport au 14 nm

Ce jour, Intel a décidé de communiquer un peu sur son nouveau process de fabrication des processeurs en 10 nm. Un process que l'on retrouvera principalement sur les futurs CPU Cannonlake et qui a même déjà été exploité pour quelques processeurs, comme pour le Core i3-8121U.

Mais on le sait, ce process de fabrication pose malgré tout problème à Intel, notamment au niveau de la production qui semble difficile.





Intel a donc décidé de communiquer sur ce process afin de montrer l'avantage de ce dernier. AInsi, ce nouveau procédé en 10 nm FinFet, permettra de multiplier par 2.7 la densité des transistors présents par rapport au process de fabrication en 14 nm. Ainsi, Intel pourra placer 100.8 millions de transistors par mm²... Ainsi, sur un Die de 127 mm², pas moins de 12.8 milliards de transistors pourront être présents.



Intel va aussi améliorer les points des ponts FinFET en passant de 70 à 54 nm et les points métalliques passeront eux de 52 à 36 nm. Enfin, Intel exploitera maintenant un alliage de Cobalt en lieu et place du tungsten et du cuivre.

Avec une densité presque triplée, Intel s'offre de nombreuses évolutions possibles. Ce dernier pourra produire des plus petites puces intégrant le même nombre de transistors que les puces actuelles pour ne pas perdre en puissance et gagner en consommation et en dissipation thermique, ou alors intégrer plus de transistors dans une même surface, pour plus de Cores et donc plus de puissance.

Posté le 29 Juin 2018 à 12:12 par Aurélien Lagny