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Samsung annonce sa V-NAND de 5 ème génération, encore plus rapide

Ce jour, Samsung annonce l'arrivée de sa mémoire V-NAND de 5 ème génération. Une mémoire qui est maintenant composée de 96 couches et qui atteint une densité de 256 Gb. Elles introduisent également une interface Toggle DDR 4.0, permettant à ces dernière d'être 40 % plus rapide que les puces V-NAND 64 couches de la génération précédente. Elles atteindraient des vitesses de 1.4 Gbps.

samsung puces vnand cinquieme génération

Mais ce n'est pas tout. En effet, la vitesse d'écriture des puces a été grandement améliorée en étant 30 % plus rapide que sur les puces 64 couches et le temps de réponse en lecture passe à 50 microsecondes. Du coté de la consommation, cette dernière reste inchangée par rapport aux puces de 4 ème génération, car les puces de 5 ème génération fonctionnent à 1.8 v contre 1.2 v avant.

Enfin, Samsung annonce que le rendement de la production a augmenté de 30 %.

source : TPU

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