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SK Hynix nous présente la mémoire NAND 4D

SK Hynix a évoqué le futur de la mémoire et pour le fondeur cela passe par la mémoire NAND 4D. Le but est d'offrir un empilement vertical toujours plus poussé, le principe de base reste identique avec une chambre en trois dimensions (CTF ou Charge Trap Flash), mais cette fois-ci le fondeur souhaite empiler également la chambre sur le peri (circuit logique) afin de réduire la largeur des piles de cellules et permettre logiquement un empilement plus élevé de CTF.

skhynix mémoire nand4D

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La volonté du fondeur SK Hynix est donc de transférer le circuit logique sous le CTF afin d’obtenir un empilement totale verticalement et d'éliminer tout empilement horizontal, ce qui permettra de proposer des piles de cellule moins large et donc d'empiler plus de CTF et de proposer ainsi des piles de plus grande capacité. La communication entre le circuit logique et les CTF sera assurée par des vias microscopiques.

SK hynix annonce que des échantillons de puces de 512 Gb seront produits d'ici la fin de l'année 2018 et des puces de 1 Tb durant l'année 2019.

source : toms hardware

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