Samsung annonce de nouveaux transistors en 3 nm intégrant la technologie MBCFET

Samsung vient de faire l'annonce de l'arrivée prochaine d'un nouveau type de transistors à technologie MBCFET, qui viendront remplacer avec le temps, les transistors actuels qui sont à technologie FinFET.

Ces nouveaux transistors exploitent des nanosheets qui permettent le contact sur les 4 faces, nous sommes donc face à du quad-gate, alors qu'auparavant nous étions sur tri-gate en raison de l'exploitation de nanowire.







En plus d'offrir une meilleure surface de contact, le Gate-All-Around permet des intégrations en hauteur et non latéralement comme avant. Ainsi, il est possible d'avoir plus de canaux, tout en occupant moins de place. D'ailleurs Samsung donne quelques chiffres intéressants sur ce MBCFET 3 nm comparativement au FinFET 7 nm. Ainsi la tension de fonctionnement est de moins de 0.75v, la consommation est réduite de 50 %, la surface est réduite de 45 % et les performances sont en hausse de l'ordre de 30 %.



Samsung a terminé le développement de cette nouvelle technologie 5 nm en avril et les premières puces MBCFET devraient voir le jour en 2020, ce qui est tout proche.

Posté le 15 Mai 2019 à 12:00 par Aurélien Lagny