Le fondeur SK Hynix vient d'annoncer de la mémoire HBM2E capable d'atteindre une bande passante de 460 GB/s. C'est mieux que Samsung qui a annoncé une mémoire HBM2E à 410 GB/s.
Pour atteindre une telle bande passante, SK Hynix annonce une bande passante par broche de 3.6 Gbit/s (Samsung annonçait une bande passante par broche de 3.1 Gbit/s pour sa part).
SK Hynix a annoncé qu'il était capable d'empiler 8 puces pour une capacité maximale de 16 Go par matrice. Ce type de mémoire se prédestine aux GPUs haut de gamme, aux serveurs et aux cartes dédiées au deep learning (apprentissage profond).
SK Hynix devrait débuter la production de masse de ces puces mémoire HBM2E en 2020.
Pour atteindre une telle bande passante, SK Hynix annonce une bande passante par broche de 3.6 Gbit/s (Samsung annonçait une bande passante par broche de 3.1 Gbit/s pour sa part).
SK Hynix a annoncé qu'il était capable d'empiler 8 puces pour une capacité maximale de 16 Go par matrice. Ce type de mémoire se prédestine aux GPUs haut de gamme, aux serveurs et aux cartes dédiées au deep learning (apprentissage profond).
SK Hynix devrait débuter la production de masse de ces puces mémoire HBM2E en 2020.
source : Techpower Up
Marque : SK Hynix
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Posté le 12 Août 2019 à 12:19 par Jonathan Riemain
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