Intel Foundry Services, la fonderie interne de semi-conducteurs d'Intel, a annoncé que ses process de fonderie Intel 20A de classe 2 nm et Intel 18A de classe 1,8 nm ont achevé leur développement et sont sur la bonne voie pour produire des puces en masse à la date prévue sur la roadmap initiale. La production en masse de puces Intel 20A devrait débuter au premier semestre 2024, tandis que celle sur le process Intel 18A devrait commencer au second semestre 2024.
L'achèvement de la phase de développement signifie qu'Intel a finalisé les spécifications et les objectifs de performance et de puissance ces nouveaux process, les outils et les logiciels nécessaires à la fabrication des puces, et qu'il peut maintenant commencer à mettre le tout en place afin de lancer la production.
La gravure Intel 20A (ou 20-angstroms, ou 2 nm) introduit des transistors RibbonFET GAA (gates-all-around) avec PowerVIAs (une innovation en matière d'interconnexion qui contribue à la densité des transistors). Le process Intel 20A est censé offrir un gain de performance de 15 % par watt par rapport à son prédécesseur, le nœud Intel 3 (FinFET EUV, classe 3 nm), qui lui-même offre un gain de performance de 18 % par watt par rapport à Intel 4 (20 % par watt par rapport à l'actuel nœud Intel 7), le nœud qui entrera très bientôt en production de masse. Le nœud Intel 18A est un perfectionnement de l'Intel 20A, et introduit une amélioration de la conception du RibbonFET qui augmente la densité des transistors à l'échelle, et une amélioration revendiquée de 10 % de la performance/Watt par rapport à l'Intel 20A.
Il est loin et révolu le temps sur 14 nm chez les bleus.
L'achèvement de la phase de développement signifie qu'Intel a finalisé les spécifications et les objectifs de performance et de puissance ces nouveaux process, les outils et les logiciels nécessaires à la fabrication des puces, et qu'il peut maintenant commencer à mettre le tout en place afin de lancer la production.
La gravure Intel 20A (ou 20-angstroms, ou 2 nm) introduit des transistors RibbonFET GAA (gates-all-around) avec PowerVIAs (une innovation en matière d'interconnexion qui contribue à la densité des transistors). Le process Intel 20A est censé offrir un gain de performance de 15 % par watt par rapport à son prédécesseur, le nœud Intel 3 (FinFET EUV, classe 3 nm), qui lui-même offre un gain de performance de 18 % par watt par rapport à Intel 4 (20 % par watt par rapport à l'actuel nœud Intel 7), le nœud qui entrera très bientôt en production de masse. Le nœud Intel 18A est un perfectionnement de l'Intel 20A, et introduit une amélioration de la conception du RibbonFET qui augmente la densité des transistors à l'échelle, et une amélioration revendiquée de 10 % de la performance/Watt par rapport à l'Intel 20A.
Il est loin et révolu le temps sur 14 nm chez les bleus.
source : Toms USA
Marque : Intel
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Posté le 09 Mars 2023 à 11:45 par Aurélien Lagny
