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- Contrôleur: c'est lui qui gère la manière dont les données vont être réparties au sein de chaque cellule Flash (Indilinx, JMicron, LAMD, Marvell, Samsung et SandForce). Je ne m'attarde pas trop là dessus car ce n'est pas ce qui me tracasse.
- Cellule Flash: c'est donc là que va être stockée la donnée. Il en existe 3 types: SLC, MLC et TLC. Dans le cas d'une mémoire SLC on ne stocke qu'un bit par transistors, seuls deux niveaux de charge sont nécessaires et ils se programment assez rapidement. On stocke par contre deux bits par transistor au sein de la mémoire MLC, ce qui correspond à 4 niveaux de charge. Pour finir, on stocke 3 bits par cellule Flash sur de la TLC, ce qui correspond à 8 niveau de tension possible. Chaque type de NAND a donc un nombre limité de cycle d'écriture. Samsung 830, par exemple, utilise de la mémoire 27nm MLC de sa propre marque sur le 830, alors que le 840 Pro intègre de la MLC 21nm annoncée au même niveau d'endurance de 3000 cycles. A contrario le 840 classique utilise de la TLC 21nm moins endurante puisque limitée officiellement à 1000 cycles d'écriture. L'écriture devant se faire en plusieurs passes, elle est également plus lente. |