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Le topic ultime pour OC sa DDR4!!!
TheBestOfTheWorst @
Meuhdérateur
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Posté le: 10 janvier 2022 à 22:32 
Bonjour,
Dans ce guide je vais essayer d'être le plus exhaustif possible, OC sa ram étant complexe il est possible que je loupe/j'oublie certaines subtilités. Dans ce cas les mettre dans les commentaires serait utile afin que je puisse mettre à jour ce guide. Je crée principalement ce guide afin de chasser toute les idées préconçues et les simplification fausses qui sont faite.
Tout d'abord pourquoi OC sa RAM?
In game, entre un kit de 3800mhz cl18 et de la 3800mhz cl 14 il y a ,selon le titre, entre 2 et 10% de différence de perf. Même si vous ne jouez pas il peut être intéressant d'OC pour certains programmes. C'est particulièrement intéressant si vous faite de l'édition photo/vidéo et/ou des rendu 3d. Généralement plus la tâche que vous essayer de faire tourner est gourmande en RAM et + ca sera intéressant d'OC. Pour ceux avide de chiffres voici les résultat obtenu par 1usmus sur des ryzen 2xxx:
https://www.techpowerup.com/review/amd-ryzen-memory-tweaking-overclocking-guide/10.html
Entre temps les fréquences et les timings obtenable on énormément changés. Mon guide s'applique plus au ryzen 3000 et 5000. Et sur certains points je n'ai pas la même approche que lui. Contrairement à ce que pourrait laisser penser ses résultats la C-Die est vraiment mauvaise. Surtout si on cherche à atteindre les 3733/3800mhz.
Je vais, avant de détailler tout les type de chip de ram existants précisé une donné importante. Que signifie le xGbit dans le nom d'un certain type de ram? Eh bien cela signifie la densité (donc le nb de puces) qu'il y aura par "ban" de puces RAM. Couramment on a de la 8Gbit. La différence entre de la 8Gbit et de la 16Gbit sera le nb max. de Go de RAM par stick. Ca n'aura pas beaucoup d'effet sur les perf. Cependant les versions en 16Gbit sont différentes des version 8Gbit à cause de leur finesse de gravure réduite. Ce qui entre autre signifie qu'un stick en 16Gbit pourra prendre moins de Volts. Généralement les stick en 8Gbit voir même en 4Gbit sont les meilleurs pour OC grâce à leur meilleurs tolérances coté voltage. La même IC mais gravé dans une gravure plus fine/grosse peux changer complètement la manière dont le stick se comporte. C'est pour quoi il est important de savoir en combien de Gbit est la mémoire dont on veux parler.
Voici un petit tableau illustrant le différence de capacité maxi entre du 8Gbit et du 16Gbit, on parle la de la capacité max. PAR STICK:
Memory Type: 8GBit 16Gbit
RDIMM 32GB 64GB
SODIMM 16GB 32GB
UDIMM 16GB 32GB
-B-Die (Vrai nom : Samsung 8Gbit Rev.B)
-E-Die (Vrai nom: Micron 8Gbit Rev.E)
-C-Die (Vrai nom: Hynix 8Gbit CJR)
Pourquoi uniquement celles-ci? Car tout le reste s'OC + ou - mal!
Sachez que toute les puces ddr4 ne sont fabriqués que par très peu de compagnies: Samsung, Micron, SK Hynix et depuis peu par Nanya).
Corsair, G.Skill etc. ne font qu'assembler les puces sur un PCB et les "binner" dans une certaines mesures. En effet en sortie d'usine de chez Samsung par exemple les puces sont déjà "binnés". Mais uniquement aux spécifications JEDEC (3200mhz max).
Il existe une multitude d'autres types de puces, je ne détaillerai que peu celle-ci. Je me contenterai de donner leur nom, leur fabricant et possiblement une ou deux remarques dessus. Je ne détaillerai d'ailleurs que les puces de grands fabricants. Uniquement pour cette partie il n'y aura que les trois premiers timings de détaillés. En effet le 4e timing (=le 5e timing sur ryzen) varie trop selon le stick pour qu'on puisse en tirer quoi que se soit de concluant.
Hynix:
4Gbit MFR -> Se trouve surtout sur de la ddr4 3000mhz ou de la 3333mhz. Chiant au niveau de la gestion du voltage. Peux encaisser 1.5/1.7v max.
Asus a deux POST code "fonctionnants" avec ce type de mémoire. 41= trop de voltage. 55= pas assez de voltage.
4Gbit AFR -> Tolère très bien les gros voltage. Vous pouvez espérer 3600mhz 12-17-17 à 1.65V. Apprécie beaucoup d'avoir une bonne carte mère.
4Gbit BJR -> Quasi inconnu. Scale jusqu'a 1.5V. Il est hautement improbable que vous ayez ce type de puce.
8Gbit MFR -> Se trouvait en 2017-2018 sur des Kingston HyperX. Se trouvait AU MOINS jusqu'à 2020 sur 2x8GB 3000mhz 15-15-15 Ripjaws V avec ce "code": 042...8821M.
8Gbit AFR -> Euh....je ne sais pas quoi dire dessus. Ca marche pour du 3200mhz cl16. Sinon R.A.S.
8Gbit BFR -> Inconnu, reporté sur 1kit de Corsair Vengeance LED à 2666mhz 16-18-18 1.2V. N'est pas listé sur le site de Hynix. Aucune information sur le scaling avec le voltage de connu. Il est fortement improbable d'avoir de la 8Gbit BFR.
8Gbit CJR -> C'est ce que j'appelle/appellerai pendant tout le reste de ce tuto la C-Die. C-Die n'est pas son nom exacte comme vous pouvez le constater mais c'est le nom couramment utilisé. Se trouve couramment sur toute sorte de kits. S'oc relativement bien, ne scale PAS avec un voltage supérieur à 1.35-1.36V. Je conseille de garder ces barrettes à 1.35 ou 1.36V pour un max. de stabilité. Au dessus de 1.45V la "C-Die" se dégrade très vite.
8Gbit JJR/JFR -> "Semblable" à la "C-Die" mais au lieu d'avoir un 3e timings "mauvais" c'est ici le 2nd timings qui est mauvais (on verra tout leurs noms plus tard). Se trouve dans certains prebuilt OEM, particulièrement ceux de Dell/Alienware. Il est très peu probable que vous en ayez.
16Gbit MJR/MFR -> Non documenté sur le site officiel de Hynix, le scaling semble particulièrement tordu sur ces puces. En effet certains reportent un scaling NEGATIF au dessus de 1.25V et mais cependant des kit à 1.35 voir 1.4V peuvent être trouvés. La 16Gbit MJR et la 16Gbit MFR sont groupés car Thaiphoon Burner semble toujours ou presque reconnaitre la 16Gbit MJR comme de la 16Gbit MFR....Se trouvent de temps en temps dans les portables. Se trouve aussi dans certains stick de 32Go tout particulièrement ceux de chez G.Skill. Relativement rare.
16Gbit AJR -> Aucun/peu de retour d'oc la dessus. Scaling inconnu. Se trouve sur un certains nombre de kits de plein de marques différentes. Usuellement c'est du 3200cl16 ou du 3600cl18/19.
16Gbit CJR -> Se trouve dans des stick de 32go. Tout particulièrement dans les kits de Corsair à 3600mhz. Ne se comporte pas très bien. Attention, leur comportement est totalement différent de celui de la 8Gbit CJR(=C-Die)
Micron
4Gbit Rev.A -> Horrible, au mieux vous arriverez à faire 3000mhz 14-16-15-28 avec tRCDWR 8, dans le pire cas vous ne pourrez peut être même pas dépasser 2666mhz. Très très très mauvaise gestion du voltage. Horrible, vraiment.
4Gbit Rev.B -> N'aime pas les voltage env. supérieures à 1.4V. Le point à partir duquel ces puces n'aimes plus du tout qu'on ajoute de voltage dépend du stick. Nécessite un tRCD (2nd timing sur une plateforme intel, 2nd et troisième sous ryzen)plutôt haut. Se trouve sur des stick OEM ou des sticks retail de petites capacités. Se comporte étonnamment bien avec de mauvais contrôleur CPU/de mauvaises carte mère.
4Gbit Rev.E -> Référencé sur le site de Micron. Inconnu. Il ne va surement jamais être produit vu "l'obsolescence" des sticks de 4Gbit.
4Gbit Rev.F -> Peu d'utilisateur ont OC cette mémoire. Peux, occasionnellement, se montrer tout à fait viable pour OC. Rare.
4Gbit Rev.G -> Référencé sur le site de Micron. Rencontré principalement dans des sticks OEM. Aucun retour d'OC dessus (tout du moins dont j'ai connaissance)
8Gbit Rev.A -> Mauvais. Juste bon a etre utilisé avec le profil XMP. Il y a récurremment des problème de training en dual channel avec ce type de mémoire. Il faut alors ne laisser qu'un seul stick pour faire le training avant de remettre le 2nd.
8Gbit Rev.B -> Ceci n'est PAS ce que j'appelle la B-Die. La 8Gbit Rev.B de Micron s'oc mal et n'aime pas le voltage. A beaucoup de problèmes thermiques(n'aime pas être un chouilla chaud).
8Gbit Rev.D -> Vu dans quelques kits. Aucun retour particulier sur l'OC.
8Gbit Rev.E -> C'est la fameuse E-Die dont on parlera + en détail dans la section comment l'OC. Scale bien avec le voltage. C'est LA mémoire pour mettre des recors du monde de fréquence. Généralement intéressant de bien la refroidir car on va souvent lui donner de très gros voltages. Intéressant sous LN2/ avec un très bon refroidissement.
16Gbit Rev.B -> Ceci n'est PAS la B-Die dont je parle partout ailleurs. Actuellement la 16Gbit Rev.B clock bien. Elle peux être partiellement désactivé afin de permettre d'atteindre des fréquences encore meilleurs. C'est la mémoire qui montera le + haut en fréquence avec 1.5V ou moins, elle pert un peu de son interet quand on lui met + de voltage. Elle est entre autre utilisé sur les barrette de DDR4 à 5000+mhz(dans ce cas la moitié de la RAM est désactivé sur chaque puces).
16Gbit Rev.E: C'est tout nouveau et surtout inconnu au bataillon. R.A.S.
Nanya
4Gbit Rev.B -> Ceci n'est pas ce que j'appelle B-Die. La 4Gbit Rev.B est vieille, enlevée du site de Nanya. N'est plus produite. Ne clock pas bien. Personne n'a jamais réussi à faire monter ces sticks à + de 3100mhz.
4Gbit Rev.D -> Listé sur le site de Nanya. Utilisé sur certains rares sticks de 4Go. Aussi utilisé comme RAM pour les SSD.
8Gbit Rev.A -> Rien d'extraordinaire. Quasi inconnu. Capable de 3200 cl 16-18-18-36 à 1.35V. Tout comme la majorité des sticks du marché.
8Gbit Rev.B -> Ceci n'est PAS ce que j'appelle la B-Die. Ceci est une IC quasi inconnu. Qui existe probablement dans certains sticks, produit en 2019. R.A.S. puisqu'il est quasi impossible de trouver quoi que ce soit sur cette IC.
Samsung
4Gbit Rev.D -> Plutôt pas mal, capable de DDR4-3733 CL13/15
4Gbit Rev.E -> Bonne fréquences; Capable de 4000+mhz. Aussi bon que la B-Die sur le CL mais inférieur sur les autres timings. Ca reste très décent. Aucun info sur le comportement face au voltage.
4Gbit Rev.T -> Non listé par Samsung mais s'est retrouvé dans la nature sur des stick de 2666mhe destiné à des OEM. Apparemment s'oc comme de la 4Gbit Rev.E de chez Samsung.
4Gbit Rev.F -> Peu connu, récent. Se retouve dans quelques barrettes en tout genre. R.A.S. car peu connu et rare.
8Gbit Rev.B -> La voila, la fameuse B-Die; On va en parler plus + loin dans ce tuto mais elle scale très bien avec le voltage et peux tenir de très bon timings. A besoin d'utiliser maxmem si vous lui mettez + de 1.75V aux fesses. Aime être bien refroidi. (vers les 15/20° c'est top généralement). C'est le top du top.
8Gbit Rev.C -> Ceci n'est pas ce que j'appelle la C-Die. Ceci est actuellement capable de monter à 3600mhz 18-20-20 voir 3800mhz pour les très chanceux. Scale jusqu'a 1.3/1.35V.
8Gbit Rev.D -> Apparemment capable de 3600mhz CL14 à 1.5V. Ce qui semble proche de ce que j'appelle la "E-Die". Hélas on manque d'infos dessus. Couramment utilisé dans pléthore de machine OEM.
8Gbit Rev.E -> Ceci n'est pas ce que j'appelle la E-Die; Ceci est récent (fin 2020). On a très peu de retour la dessus; Il semblerait que ce soit comme ce que j'appelle la C-Die mais en (encore!) pire au niveau voltage.
16Gbit Rev.M -> Trouvé dans certains sticks OEM et dans d'autres de 32Go pour être retail. Voltage scaling douteux.
16Gbit Rev.A -> Quasi aucun détails de connus. R.A.S.
Voila, c'était presque tout les type de mémoire du marché. Presque...
Conseils généraux afin d'acheter sa DDR4:
N'achetez JAMAIS de DDR4 "récente" spécifié pour moins de 3200mhz si vous voulez OC. En dessous de 3200mhz ce sont des "binning reject". Donc de TRES mauvais stick à cause de la piètre qualité des puces. Avec ce genre de stick même si vous avez de la B-Die celle-ci risque d'être tellement mauvaise que vous ne pourrez surement peu/pas OC. Il ne sert à rien d'investir énormément dans de la DDR4. Un kit de B-Die milieu de gamme clockera surement aussi bien ou presque qu'un kit + HDG.
Ensuite tout dépends du type de puce que vous voulez:
La B-Die est le type de puce le plus prisé pour OC. Ca monte bien en fréquence et les timings sont serrés. Le top du top pour un OC h24.
La E-Die quand à elle peux monter à des fréquences encore bien plus élevées. Mais par contre aura certains timings qui en pâtirons. Nous verrons lesquels plus tard. Ce genre de mémoire est utilisé pour faire des records de fréquences. Moins prisé que la B-Die la E-Die reste tout de même bonne pour d'OC.
La C-Die quand à elle est très très courante. C'est pourquoi je l'inclus ici. Elle ne s'OC pas vraiment bien mais est très très très cheap et peux dépanner.
Mais, vous allez me dire, comment je reconnais quel type de mémoire c'est?
Ce n'est pas bien compliqué. tout d'abord ne prenez bien que de la ram spécifié pour 3200mhz ou +, sinon ca ne marchera pas:
-B-Die : Calculez le fréquence de la ram divisé par le cl.(par ex. 3200/14=228). Si le résultat est supérieur à 200, alors vérifiez que les 3 premiers timings sont identiques ou n'ont pas plus de 1 de différence (par ex. 3200mhz CL14-14-14-36 ou encore 3600mhz cl 16-16-16-38 ou encore 4000mhz cl 18-19-19-42). Généralement la B-Die à une tension comprise entre 1.35V et 1.5V (certains kit extrêmes montent jusqu'à 1.6V). Le plus pratique si l'on n'est pas sûr reste donc de se référer à une liste contenant toutes les référence ayant de la B-Die.
Cette liste est particulièrement complète:
https://www.hardwareluxx.de/community/threads/die-ultimative-hardwareluxx-samsung-8gb-b-die-liste-alle-hersteller-04-01-22.1161530/
E-Die : Celle-ci se trouve à l'heure actuelle principalement sur des kits avec de grosses fréquences. 3600mhz au minimum (c'est rare), plus couramment sur les 3800mhz et +. Elle est relativement simple à repérer puisque, généralement, sur les kit avec une grosse fréquence on verra que le deuxième timing (on donnera tout leurs petits noms plus + tard) est généralement très élevé. Pourquoi? Simplement car ce timing sur de la E-Die ne scale pas du tout avec le voltage. Alors si vous avez 2x + de fréquence il faudra forcément 2x + du fameux deuxième timing. Il n'existe malheureusement pas de solution infaillible. En effet afin de faciliter le process de binning les fabricant mettent toujours un 2nd et un 3eme timing identiques! Donc, en gros, si vous voulez à tout prix être sur d'avoir de la E-Die achetez un kit à 4000+mhz avec des timings très "larges" (par ex. un hypothétique 4400 cl19-23-23-46). Même comme ca il est possible de ne pas avoir de E-Die; En effet la E-Die excelle à des voltages que les revendeurs ne teste généralement pas.
C-Die: il n'y a aucun raison de vouloir de la C-Die. Ca se trouve très souvent sur de la 3200mhz cl16-18-18-36 ou encore de la 3600 cl18-20-20-40. Il existe aussi quelques rares kit de C-Die à 3800mhz avec des timings dégueulasses. A fuir..............hormis si vous êtes sur un budget très très très limité. En effet pour 50E il y a moyen d'avoir 2x8go en C-Die (2x8go en E-Die c'est minimum 80E et 2x8 Go en B-Die c'est minimum 90-100E). Et malgré tout ca reste mieux que la plupart des autres types de puce.
Remarques générales sur l''overclocking de la DDR4:
L'overclocking de la ram est lui aussi régit par la silicon lottery. Et pas que par le silicium des barrettes de ram mais aussi par le contrôleur CPU! Généralement c'est le contrôleur du CPU qui montrera des faiblesses en premier quand on augmente la fréquence. Alors qu'a l'inverse avoir des timings serrés dépend plus du stick en lui même. Avoir + de barrettes sur + de ranks augmente la charge du contrôleur CPU.
Ensuite il y a un autre facteur qui entre en jeu. Vous avez peut être de la B-Die mais pas forcément les mêmes PCB. Le PCB influe un peu sur les capacités d'OC (c'est pas énorme non plus).
Les trois PCB les plus courants sont:
A0 : le PCB originel de la ddr4. Bon timing, un peu limitant au niveau fréquence sur du + de 3800/4000mhz.
Les puces sont répartis le long du stick à intervalles réguliers.
A1: un PCB fait pour les serveurs avec un emplacement pour une puce ECC, il est peu probable que vous en croisiez un. Clock mal, gestion du voltage très foireuse. Pas du tout fait pour OC.
A2: le PCB le plus courant depuis plusieurs années. Clock bien, bon timings. Les puces se trouvent groupés par 4 à chaque extrémités du stick.
Autres: d'autres PCB existent mais ils sont spécifique à certaines ref/marques. Généralement c'est ceux qui posent le + de pb de compatibilité.
Il existe 2 variantes du PCB A2. Une ayant un peu plus de "circuiterie" en dessous des puces (j'ai plus le nom sur le coup.....) et l'autre n'ayant rien de tout ca en dessous. La version avec la "circuiterie" en dessous est légèrement meilleur. Ca ne devrais de toute manière pas être un problème puisque actuellement si on exclue les stick très bas de gamme tous ont cette "circuiterie".
Courage on va bientôt commencer à OC. Mais tout d'abord il faut voir les timings de la RAM. En effet la DDR4 à plusieurs type de timings. On a tout d'abord les timing principaux. C'est ceux indiqués quand on achète de la ram (par ex 3200mhz cl14-14-14-32). Ceux ci sont les plus important, pour un novice il vaut mieux ne toucher qu'a ces timings, sinon il risque vite de se perdre. Ensuite viennent les timings secondaires. Il y en a une multitude. Les timings principaux (aussi appelés primaires) et les timings secondaires sont dépendant du stick en lui même. Les timings tertiaire dépendent, eux, du contrôleur du CPU. Généralement les cartes mères sont + ou - mauvaises pour les settings auto des primaires et des secondaires. Mais étonnamment bonnes pour les timings tertiaires. Tant mieux, ca nous fait toujours quelques timings a peaufiner en moins.
Il existe aussi d'autres réglages, n'entrant dans aucune catégorie. Je ne détaillerai que ceux qui en valent la peine. La plupart étant inutiles hors cas extrêmement particulier.
Disclaimer
Je ne peux en aucun cas être tenu pour responsable si vous endommagez ou tuez votre matériel en faisant de fausses manip, volontaires ou non.
Selon votre plateforme:
Ici je ne vais, pour l'instant, que détailler pour Ryzen. Plus tard viendra une partie sur Intel mais je n'ai actuellement jamais eu de plateforme intel en DDR4 sous la main. Ce qui complexifie quand même la tache d'expliquer comment faire...
Sous Ryzen:
Etant donné qu'il n'est actuellement pas souhaitable de passer le contrôleur mémoire d'un Ryzen en mode 2:1 on se contentera de vitesse "modestes". On compensera avec des timings très serrés.
Commençons par régler quelques voltages:
Afin de rendre + stable notre overclocking nous allons tweak certains voltages.
VDDG CCD et VDDG IOD doivent tout deux être mis sur la même valeur, sinon l'une des valeurs prendra automatiquement le dessus. Je recommande ici 1.1V. Car c'est un voltage safe pour du h24 et aidant tout de même à stabiliser son OC. Je recommande de ne PAS dépasser cette valeur.
CPU Nb/SoC Voltage doit être mis entre 1.05V et 1.15V. 1.15V est le maximum safe pour du h24. Je conseille de le mettre à 1.15. Si vraiment vous cherchez à économiser une poignée de W vous pourrez toujours le redescendre + tard.
Par contre il y a une règle à respecter. Le SoC Voltage doit toujours être supérieur d'au moins 40-50mv à VDDG CCD et VDDG IOD car ces deux dernière tensions sont dérivés du SoC voltage.
Maintenant nous allons parler de l'infinity fabric. C'est à l'intérieur du processeur et c'est ce qui va permettre au processeur d'accéder à la mémoire etc...C'est extrêmement complexe. Pour ceux souhaitant en découvrir encore + sur l'infinity fabric vous pouvez tout trouver ici:
https://en.wikichip.org/wiki/amd/infinity_fabric
L'infinity fabric tourne à une certaine fréquence. On essaye actuellement de garder cette fréquence synchronisé par rapport à la fréquence de notre ram. Je rappelle que le DDR (Double Data Rate) fait 2 x + de mt/s que sa vitesse en mhz. On parle couramment de ram en XXXXmhz alors qu'en réalité c'est de la XXXXmt/s ,tournant donc à XXXX/2 mhz. De la ram appelé couramment comme étant à 3800mhz ne tourne en vrai qu'a 1900mhz. On va donc essayer de synchroniser la "vrai" fréquence de notre ram avec la fréquence de notre IF (infinity fabric). Sachez que peu importe les timing/réglages auxquels votre ram tourne la fréquence max de votre IF ne changera pas. Par contre des réglages comme par ex. le voltage de votre VDDG CCD et de votre VDDG IOD (et donc aussi indirectement SoC Voltage) influent sur la fréquence max à laquelle votre IF ira. C'est pourquoi je conseille de garder ces valeurs au max de ce qui est safe pour du h24. Pour le reste de ce tuto je vais utiliser les fréquences "courantes" et non pas les "vrai" fréquences afin d'éviter au lecteurs de s'emméler les pinceaux.
Pour tester la fréquence max que veux bien atteindre l'IF je recommande d'utiliser cette technique:
Je met ma mémoire a une certaine fréquence (par ex. 3800mhz). Je laisse ici tout les timings en auto, ils ne sont pas importants.
J'ajuste la vitesse de mon infinity fabric (aussi appelé IF ou encore FCLK), pour du 3800mhz je doit mettre mon FCLK à 1900mhz
Je met mon contrôleur mémoire en mode 1:1 en mettant ULCK DIV1 MODE sur "ULCK==MEMCLOCK". Il est possible que dans votre BIOS cette option s'appelle autrement.
Ensuite je vais tester si mon IF est stable à cette vitesse.
Comment?
J'utilise IntelBurntest. Vous pouvez le télécharger ici:
https://www.techpowerup.com/download/intelburntest/
J'utilise couramment le preset normal. Si votre IF est instable il devrait vous sortit une erreur en quelques dizaines de secondes. Réessayer alors avec une fréquence mémoire et une fréquence IF inférieur. Pensez bien à correctement reparamétrer votre fréquence d'IF à chaque fois que vous tentez une autre fréquence de DDR4. Réessayez la manip jusqu'à obtenir la fréquence max à laquelle votre IF veut bien monter. Généralement votre IF devrait plafonner vers 1867/1900mhz (=ddr4 à 3733mhz/3800mhz)
Ma méthode afin de tester les timing est de changer un paramètre, essayer de rebooter; Si j'arrive dans le BIOS au prochain boot j'en change encore un etc jusqu'à avoir 3 paramètres qui ont changés. Alors j'essaye de booter sous Windows et de faire tourner IntelBurntest ou memtest (intelburntest est mieux). Si ca marche pas je reviens au derniers settings fonctionnel que j'avais. Pensez bien à sauvegarder très très régulièrement vos settings.
Pour tester la stabilité de vos timing je recommande d'utiliser memtest. Et si vous etes sous Ryzen vous pouvez facilement checker tout vos timings avec ZenTimings. (Il existe aussi Ryzen Timings Checker, ce dernier donnera + de timings tertiaires. Mais de toute façon ceux ci sont inutiles ou bloqués dans le BIOS (par bloqués je veux dire invisibles) ).
Je signale que les ryzen n'aime pas particulièrement les timings impairs sur le tCL (c'est le 1er timing, couramment connu comme le cl ou encore le cas).
Les ryzen on aussi un doublon pour le deuxième timing connu sous le nom de tRCD. En effet au lieu d'avoir ce timing on a le tRCDWR (pour l'écriture et le tRCDRD (pour la lecture). Si vous commencez tout juste à OC mettez les deux sur la même valeur. Tips pour les connaisseurs: tRCDWR peut être bien + petit que tRCDRD. Pour autant l'impact de perf entre un tRCDWR bien mis ou mis à l'arrache est quasi négligeable.
Les différents timings/réglages
Je vais ici détailler tout les timings, dire ce à quoi ils correspondent et dire quelques remarques dessus si nécessaire. Je spécifierai aussi ce que l'on dois essayer de faire avec ces timings/réglages. Cette partie contiendra beaucoup d'anglais afin d'expliquer à quoi sert chaque timing/réglage. Sinon c'est quasi impossible d'expliquer quoi que ce soit. Je préciserai aussi les formule pour calculer les timings si il y en a. Notez qu'il est possible que selon le BIOS les timings ne soient pas dans le même ordre. Voir même que les timings secondaire/tertiaires ne soient pas dans les bonnes catégories. (retrouver des timings secondaires dans les timings tertiaire et des timings tertiaires dans les timings secondaires). Il est par ailleurs tout à fait possible que vous n'ayez pas tout ces timings dans votre BIOS.
Les timings primaires:
tCL : CL (Column Latency, aussi appelé CAS (Column Access Strobe). C'est le timing le plus important. Objectif : aller le plus bas possible
tRCD : Ce timing est subdivisé en deux timings sur ryzen. Chez intel un seul timing s'occupe des deux.
tRCDWR: Row Address Strobe (RAS) to Column Address Strobe (CAS) Delay (Write). Objectif : aller le plus bas possible
tRCDRD: RAS to CAS Delay (Read). The delay between when a row address is activated and when a column address is activated for reading. C'est la
même chose que tRCDWR mais pour écrire. tCL + tRP
tRP: Row Precharge Time. The amount of time it takes to deactivate (precharge) one row of memory and activate a new row of memory (on the same rank). Objectif : aller le plus bas possible.
tRAS: RAS Active Time. The minimum time between a row of memory being activated and precharged. Formule: tCL + tRP - ?. Le ? dépend des sticks que vous possédez. Objectif : aller le plus bas possible.
CR: Command Rate. The amount of consecutive clock cycles that commands must be sent to the DRAM to ensure that the command is executed. Le mieux est de l'avoir sur 1, cependant 2 peux aider au niveau stabilité surtout avec 4+ sticks de RAM.
Les timings secondaires:
tRC: Row Cycle Time. The minimum amount of time between activation commands to the same memory bank. Forumle. Ne pourra JAMAIS être inférieur à tRAS + tRP. Objectif : aller le plus bas possible.
tRCPage: Page Time Line Period. Ne necessite pas d'etre changé. Il vaut mieux juste le laisser à sa valeur par défaut, 0.
tRRDS: RAS to RAS Delay, Different Bank Group. The delay between two row activations across different bank groups. Sur certains type de mémoire il est aisément possible que vous vous retrouviez à mettre ce timing au minimum que permet votre BIOS. Objectif : aller le plus bas possible.
tRRDL: RAS to RAS Delay, Same Bank Group. The delay between two row activations within one bank group. La meme chose que tRRDS mais s'appliquant à plusieur groupes de bank. Généralement ce timing est le même que tRRDS.
tFAW: Four Activate Window. The amount of time in which four row activations can occur within the same rank. Au moins chez AMD le minimum pour ce timing est 4 x tRRDS. Une valeur inférieur ne changera rien. Si 4 * tRRDS ne marche pas généralement 5 * tRRDS marchera. Ou, au pire, 8 * tRRDS. Objectif : aller le plus bas possible.
tFAWDLR: Si vous avez ce timing dans votre BIOS vous ne pourrez surement pas le modifier. Rien à dire dessus puisqu'il est inchangeable. Généralement sa valeur par défaut est 0.
tFAWSLR: Idem.
tWTRS: Write to Read Delay, Different Bank Group. The delay between a successful write command and a read command across different bank groups.
Il est possible que cette valeur descende très bas (jusqu'a 2). Objectif : aller le plus bas possible.
tWTRL: Write to Read Delay, Same Bank Group. The delay between a successful write command and a read command within one bank group. Exactement la meme chose que tWTRS mais la valeur la plus basse atteignable est 7.
tWR: Write Recovery Time. The delay between a successful write command and the active bank being precharged. Formule: tRAS - tRCD - ?. Ou ? dépend du stick. Objectif: le plus bas possible mais ce timing ne doit JAMAIS être inférieur à 8 sinon votre OC ne pourra JAMAIS être stable.
Maintenant quelques timing se ressemblant beaucoups:
tRDRD _ _ (_): Read to Read Delay. The delay between two read commands.
tRDRDSC: tRDRD, Different Bank Group. Involves two rows in different bank groups.
tRDRDSCL: tRDRD, Same Bank Group. Involves two rows within one bank group. A un gros impact sur la bande passante.
tRDRDSD: tRDRD, Different Rank. Involves two rows in different ranks of a DIMM.
tRDRDDD: tRDRD, Different DIMM. Involves two rows on different DIMMs.
Tout ces timings devrait pouvoir etre mis sur 1 ou 2. Objectif: le plus bas possible, même si honnêtement ils ont peu d'importance et ne changeront pas la
stabilité des sticks.
tWRWR _ _ (_): Write to Write Delay. The delay between two write commands.
tWRWRSC: tWRWR, Different Bank Group. Involves two rows in different bank groups.
tWRWRSCL: tWRWR, Same Bank Group. Involves two rows within one bank group. A un gros impact sur le bande passante, comme tRDRDSCL
tWRWRSD: tWRWR, Different Rank. Involves two rows in different ranks of a DIMM.
tWRWRDD: tWRWR, Different DIMM. Involves two rows on different DIMMs.
Idem que pour tRDRD _ _ (_) puisque c'est la même chose mais pour les écriture cette fois!
tRFC: Refresh Cycle Time. The amount of time between a refresh command and an activation command being executed by the DRAM. Formule: 8 x tRC OU 8 x tRC + 8. Vous pouvez ensuite réduire ce nombre par autant de tranches de 10 qu'il est possible.
tCWL: CAS Write Latency. The delay between when the IMC activates a column of memory and when a write command is executed. C'est la meme chose que le fameux tCL (=CL ou encore CAS) que "tout le monde" connait. Mais pour les écritures. Je n'ai AUCUNE idée de pourquoi le timing pour l'écriture est beaucoup moins important que le timing de lecture. Ce timing impacte énormément la stabilité. Formule: tCL ou tCL - 1. Il est possible de descendre un peu plus bas mais ca coutera beaucoup au niveau stabilité. Donc il vaut mieux ne pas essayer de trop resserrer ce timing.
tRTP: Read to Precharge Delay. The delay between a read command and a row precharge in the same rank. Objectif: aussi bas que possible.
tRDWR: Read Write Command Spacing. The amount of turn-around clocks between a read command and a write command on the same rank. Voir tWRRD situé juste en dessous.
tWRRD: Write Read Command Spacing. The amount of turn-around clocks between a write command and a read command on the same rank. Presque la même chose que tRDWR. Généralement il y aura toujours une de ces deux valeurs qui ira bas et l'autre qui restera élevé. Il vaut mieux alors en mettre une en auto, resserrer l'autre autant qu'il est possible, puis resserrer celle qu'on avait laissé en auto.
tCKE: Clock Enable Time. The minimum amount of time it takes for a CKE pulse to occur. Objectif: le mettre aussi bas que possible tant que la carte mère accepte encore de POST. Cela aide à resserrer d'autres timings. Il n'y a que peu de détails connus sur ce timing.
tRPPB: Row Precharge Time, Per-Bank/Single Bank. Bloqué dans le bios sur sa valeur par défaut. Utilisé dans la LPDDR des portables. La seul formule existant avec ce timing est la suivante tRC = tRAS + tRPPB (formule uniquement valable sur un portable).
tRCPB: Row Cycle Time, Per-Bank/Single Bank. Lié à tRPPB vu le nom. Inconnu personnellement. Idem c'est bloqué dans le BIOS.
tRRDDLR: Locké dans le bios sur 0. Aucune idée de ce que c'est.
tRDRDBAN: Read to Read Timing Ban. Bloqué sur 2 dans le BIOS.
Ban 0 - no ban, control of signal traffic done by tRDRDSDSC, tRDRDSDDC, and tRDRDDD.
Ban 1 - bans tRDRD for one clock cycles.
Ban 2 - bans tRDRD for two clock cycles.
tRDRDSCDLR: Aucune idée de ce que c'est. Locké sur 0 dans le BIOS.
tWRWRBAN: Write to Write Timing Ban. Basically tRDRDBAN, but regarding write operations. Idem que tRDRDBAN
tRDRDSCDLR: Locké sur 0 dans le BIOS.
tWRRDSCDLR: Locké sur 0 dans le BIOS.
Les timings tertiaires:
Si les timings secondaire n'étaient pas assez abstraits pour vous, vous voila servi! La majorité de ces timings ne méritent pas d'être changés. Pourquoi ? Impacte quasi négligeable sur les perf. Et ils sont horrible à valider coté stabilité. Le seul timings secondaire un minimum intéressant à changer est tREF (aussi appelé tREFI). Hormis pour tREF(tREFI) je ne donnerai aucun indications de valeurs possible. Tout simplement car ou l'on ne connait pas bien ces timings ou alors ils varient trop selon le type de mémoire ou alors ils sont insignifiants.
tREF/tREFI: Refresh Time. The amount of cycles between memory refreshes. Je n'ai personnellement AUCUNE expérience avec ce timing puisqu'il n'existe tout simplement pas (ou tout du moins n'est pas réglable) sous Ryzen! La seul chose que je sait est qu'il scale avec la fréquence et non pas avec le voltage.
Généralement une valeur de 32768 est safe. Il est possible de monter jusqu'à 65536.
tMOD: MRS (Mode Register Set) Command to Non-MRS Command Delay.
tMODPDA: MRS (Mode Register Set) Command to Non-MRS Command Delay, Per DRAM Addressability Mode.
tMRD: Mode Register Set Command Cycle Time.
tMRDPDA: Mode Register Set Command Cycle Time, Per DRAM Addressability Mode.
tSTAG: Subrefresh Staggering Delay.
tSTAGLR: lié à tSTAG Désactivé dans le BIOS. Il semblerait que se soir un offset de tSTAG.
tPHYWRD:lié à l'écriture et à une puce appelé Phy se trouvant dans le SoC des Ryzen.
tPHYWRL: Idem
tPHYRDL: Idem mais lié aux écritures.
tRDDATA: Aucune idée, lié à la lecture. "DATA"?????
tWRMPR: Visiblement lié à l'écriture.
tMAW: Inconnu. Ne se trouve que sur certaines obscures documentations d'AMD.
tMAC: Inconnu. Ne se trouve que sur certaines obscures documentations d'AMD.
Il existe surement d'autres timings tertiaires mais ils ne peuvent pas être ajustés. Ceux ci sont généralement bien planqués au fond d'une documentation perdu quelque par sur la toile...
Mais comment OC ma mémoire?
Maintenant que vous avez vos sticks, que vous savez quel type de die vous avez et avez paramétré grossièrement les voltages nous pouvons (enfin!) commencer à voir comment overclocker!
Je décrirait ici tout sous forme d'étapes courtes afin de rendre le tout plus lisible.
Pour la B-Die:
Mettez directement le voltage de vos sticks à 1.5V. C'est la max connu comme étant 100% safe pour du h24. Les plus téméraires peuvent monter jusqu'à 1.6V. mais on n'est pas vraiment sûr des répercussions à très long terme. Si vous benchez sous ln2 alors mettez 1.8V voir 2V si votre carte mère le permet. Si pour bench il vous faut dépasser les 1.75V il faudra commencer à limiter la ram à laquelle Windows à accès. Soit avec msconfig soit avec une commande dans l'invite de commande. Ne mettez jamais ce genre de voltage sans vraiment savoir ce que vous faites.
Ensuite vu que + haut on a pu voir comment trouver la fréquence max à laquelle on pourra faire tourner sa RAM en mode 1:1 eh beh on met cette vitesse dans le BIOS. En essayant de garder les même timing que le xmp. Si la vitesse de votre xmp est + faible que celle que vous essayez d'atteindre. Si votre XMP est à 4400mhz par ex et que vous visez 3800mhz vous pouvez déjà commencer à resserrer les timings. "Hélas" les Ryzen n'aime pas vraiment les timings impairs. Tout particulièrement pour le tCL (le premier timing, celui que tout le monde connait sous le nom de cl ou de cas). Pour un OC vers les 3800mhz cl14 est souvent faisable. Vous pouvez commencer avec CL16 pour être très safe si vous le souhaitez. Un exemple typique d'un bon oc à 3800mhz donnerai ca: 3800mhz cl14-16-13-13-27. Une petite astuce. Le dernier timing primaire (tRAS) est toujours = tRCDRD + tCL. Ici on a 14 + 16 = 30. Après selon la silicon lottery vous pourrez + ou - resserrer ce timings. Dans ce cas il a pu être resserré de 3 crans.
Maintenant intéressons nous au timings secondaires. Pour tRC (le 1er timing seondaire) il n'y a hélas pas de formule universel. Si vous voulez atteindre les 3800mhz env. je vous conseillerai de partir avec 50. Puis pour cette valeur de réduire 2 par 2 à chaque test. Sinon vous n'en finirez jamais. Ensuite vient de dernier timing secondaire dont je parlerai dans cette v1 du guide. tRFC1/2/4 souvent juste appelé tRFC. Pour un oc vers les 3800mhz à peu près n'importe quelle b-die devrai tenir 400. Ce paramètre peux être réduit par tranche de 10 à chaque essai. Il existe une formule, très approximative, pour calculer le tRFC. tRFC = tRC x 8 + 8 devrais fonctionner sans problème. Il existe d'autres variantes de cette formule telles que tRC x 8 ou encore tRC x 5 + 8. Ce sont diverses formules. Aucune n'est exacte. Mais ca donne une idée des réglages que l'on peux mettre.
Maintenant ce que je vais appeler les réglages MISC c'est un peu un raccourci mais je veux dire tout ce qui n'est ni primaire, ni secondaire, ni tertiaire. Tout d'abord je recommande la désactivation de tout les mécanisme d'économie d'énergie/d'optimisation. Donc de désactiver le power down enable, le BankGroupSwap, le BankGroupSwapAlt. Je conseille aussi de régler de qui s'appelle le ProcODT sur 60ohm ou une valeurs légèrement inférieur/supérieur à 60ohm.
Etant toujours crevé ce soir la partie sur la C-Die et sur la E-Die arrivera malheureusement demain. Ou plutôt vu l'heure aujourd'hui en fait
Les détails sur chaque timings arriveront en même temps. Désolé pour le délai supplémentaire........
Patch note:
14h 11/01/22 : meilleurs explication sur l'IF, rapides explications sur l'intérêt d'OC sa RAM.
Demain arrive le nécessaire pour OC de la C-Die et de la E-Die.
23h55 15/01/2022 : mise en place d'une partie décrivant rapidement tout les type de chip existants. Améliorations de diverses autre parties. Ajout d'une sélection d'outils que je recommande.
23h 16/01/2022 : ajout d'explications détaillés de TOUT les timings.
Dernière édition par TheBestOfTheWorst le 17 janvier 2022 à 12:14; édité 15 fois
Dans ce guide je vais essayer d'être le plus exhaustif possible, OC sa ram étant complexe il est possible que je loupe/j'oublie certaines subtilités. Dans ce cas les mettre dans les commentaires serait utile afin que je puisse mettre à jour ce guide. Je crée principalement ce guide afin de chasser toute les idées préconçues et les simplification fausses qui sont faite.
Tout d'abord pourquoi OC sa RAM?
In game, entre un kit de 3800mhz cl18 et de la 3800mhz cl 14 il y a ,selon le titre, entre 2 et 10% de différence de perf. Même si vous ne jouez pas il peut être intéressant d'OC pour certains programmes. C'est particulièrement intéressant si vous faite de l'édition photo/vidéo et/ou des rendu 3d. Généralement plus la tâche que vous essayer de faire tourner est gourmande en RAM et + ca sera intéressant d'OC. Pour ceux avide de chiffres voici les résultat obtenu par 1usmus sur des ryzen 2xxx:
https://www.techpowerup.com/review/amd-ryzen-memory-tweaking-overclocking-guide/10.html
Entre temps les fréquences et les timings obtenable on énormément changés. Mon guide s'applique plus au ryzen 3000 et 5000. Et sur certains points je n'ai pas la même approche que lui. Contrairement à ce que pourrait laisser penser ses résultats la C-Die est vraiment mauvaise. Surtout si on cherche à atteindre les 3733/3800mhz.
Je vais, avant de détailler tout les type de chip de ram existants précisé une donné importante. Que signifie le xGbit dans le nom d'un certain type de ram? Eh bien cela signifie la densité (donc le nb de puces) qu'il y aura par "ban" de puces RAM. Couramment on a de la 8Gbit. La différence entre de la 8Gbit et de la 16Gbit sera le nb max. de Go de RAM par stick. Ca n'aura pas beaucoup d'effet sur les perf. Cependant les versions en 16Gbit sont différentes des version 8Gbit à cause de leur finesse de gravure réduite. Ce qui entre autre signifie qu'un stick en 16Gbit pourra prendre moins de Volts. Généralement les stick en 8Gbit voir même en 4Gbit sont les meilleurs pour OC grâce à leur meilleurs tolérances coté voltage. La même IC mais gravé dans une gravure plus fine/grosse peux changer complètement la manière dont le stick se comporte. C'est pour quoi il est important de savoir en combien de Gbit est la mémoire dont on veux parler.
Voici un petit tableau illustrant le différence de capacité maxi entre du 8Gbit et du 16Gbit, on parle la de la capacité max. PAR STICK:
Memory Type: 8GBit 16Gbit
RDIMM 32GB 64GB
SODIMM 16GB 32GB
UDIMM 16GB 32GB
-B-Die (Vrai nom : Samsung 8Gbit Rev.B)
-E-Die (Vrai nom: Micron 8Gbit Rev.E)
-C-Die (Vrai nom: Hynix 8Gbit CJR)
Pourquoi uniquement celles-ci? Car tout le reste s'OC + ou - mal!
Sachez que toute les puces ddr4 ne sont fabriqués que par très peu de compagnies: Samsung, Micron, SK Hynix et depuis peu par Nanya).
Corsair, G.Skill etc. ne font qu'assembler les puces sur un PCB et les "binner" dans une certaines mesures. En effet en sortie d'usine de chez Samsung par exemple les puces sont déjà "binnés". Mais uniquement aux spécifications JEDEC (3200mhz max).
Il existe une multitude d'autres types de puces, je ne détaillerai que peu celle-ci. Je me contenterai de donner leur nom, leur fabricant et possiblement une ou deux remarques dessus. Je ne détaillerai d'ailleurs que les puces de grands fabricants. Uniquement pour cette partie il n'y aura que les trois premiers timings de détaillés. En effet le 4e timing (=le 5e timing sur ryzen) varie trop selon le stick pour qu'on puisse en tirer quoi que se soit de concluant.
Hynix:
4Gbit MFR -> Se trouve surtout sur de la ddr4 3000mhz ou de la 3333mhz. Chiant au niveau de la gestion du voltage. Peux encaisser 1.5/1.7v max.
Asus a deux POST code "fonctionnants" avec ce type de mémoire. 41= trop de voltage. 55= pas assez de voltage.
4Gbit AFR -> Tolère très bien les gros voltage. Vous pouvez espérer 3600mhz 12-17-17 à 1.65V. Apprécie beaucoup d'avoir une bonne carte mère.
4Gbit BJR -> Quasi inconnu. Scale jusqu'a 1.5V. Il est hautement improbable que vous ayez ce type de puce.
8Gbit MFR -> Se trouvait en 2017-2018 sur des Kingston HyperX. Se trouvait AU MOINS jusqu'à 2020 sur 2x8GB 3000mhz 15-15-15 Ripjaws V avec ce "code": 042...8821M.
8Gbit AFR -> Euh....je ne sais pas quoi dire dessus. Ca marche pour du 3200mhz cl16. Sinon R.A.S.
8Gbit BFR -> Inconnu, reporté sur 1kit de Corsair Vengeance LED à 2666mhz 16-18-18 1.2V. N'est pas listé sur le site de Hynix. Aucune information sur le scaling avec le voltage de connu. Il est fortement improbable d'avoir de la 8Gbit BFR.
8Gbit CJR -> C'est ce que j'appelle/appellerai pendant tout le reste de ce tuto la C-Die. C-Die n'est pas son nom exacte comme vous pouvez le constater mais c'est le nom couramment utilisé. Se trouve couramment sur toute sorte de kits. S'oc relativement bien, ne scale PAS avec un voltage supérieur à 1.35-1.36V. Je conseille de garder ces barrettes à 1.35 ou 1.36V pour un max. de stabilité. Au dessus de 1.45V la "C-Die" se dégrade très vite.
8Gbit JJR/JFR -> "Semblable" à la "C-Die" mais au lieu d'avoir un 3e timings "mauvais" c'est ici le 2nd timings qui est mauvais (on verra tout leurs noms plus tard). Se trouve dans certains prebuilt OEM, particulièrement ceux de Dell/Alienware. Il est très peu probable que vous en ayez.
16Gbit MJR/MFR -> Non documenté sur le site officiel de Hynix, le scaling semble particulièrement tordu sur ces puces. En effet certains reportent un scaling NEGATIF au dessus de 1.25V et mais cependant des kit à 1.35 voir 1.4V peuvent être trouvés. La 16Gbit MJR et la 16Gbit MFR sont groupés car Thaiphoon Burner semble toujours ou presque reconnaitre la 16Gbit MJR comme de la 16Gbit MFR....Se trouvent de temps en temps dans les portables. Se trouve aussi dans certains stick de 32Go tout particulièrement ceux de chez G.Skill. Relativement rare.
16Gbit AJR -> Aucun/peu de retour d'oc la dessus. Scaling inconnu. Se trouve sur un certains nombre de kits de plein de marques différentes. Usuellement c'est du 3200cl16 ou du 3600cl18/19.
16Gbit CJR -> Se trouve dans des stick de 32go. Tout particulièrement dans les kits de Corsair à 3600mhz. Ne se comporte pas très bien. Attention, leur comportement est totalement différent de celui de la 8Gbit CJR(=C-Die)
Micron
4Gbit Rev.A -> Horrible, au mieux vous arriverez à faire 3000mhz 14-16-15-28 avec tRCDWR 8, dans le pire cas vous ne pourrez peut être même pas dépasser 2666mhz. Très très très mauvaise gestion du voltage. Horrible, vraiment.
4Gbit Rev.B -> N'aime pas les voltage env. supérieures à 1.4V. Le point à partir duquel ces puces n'aimes plus du tout qu'on ajoute de voltage dépend du stick. Nécessite un tRCD (2nd timing sur une plateforme intel, 2nd et troisième sous ryzen)plutôt haut. Se trouve sur des stick OEM ou des sticks retail de petites capacités. Se comporte étonnamment bien avec de mauvais contrôleur CPU/de mauvaises carte mère.
4Gbit Rev.E -> Référencé sur le site de Micron. Inconnu. Il ne va surement jamais être produit vu "l'obsolescence" des sticks de 4Gbit.
4Gbit Rev.F -> Peu d'utilisateur ont OC cette mémoire. Peux, occasionnellement, se montrer tout à fait viable pour OC. Rare.
4Gbit Rev.G -> Référencé sur le site de Micron. Rencontré principalement dans des sticks OEM. Aucun retour d'OC dessus (tout du moins dont j'ai connaissance)
8Gbit Rev.A -> Mauvais. Juste bon a etre utilisé avec le profil XMP. Il y a récurremment des problème de training en dual channel avec ce type de mémoire. Il faut alors ne laisser qu'un seul stick pour faire le training avant de remettre le 2nd.
8Gbit Rev.B -> Ceci n'est PAS ce que j'appelle la B-Die. La 8Gbit Rev.B de Micron s'oc mal et n'aime pas le voltage. A beaucoup de problèmes thermiques(n'aime pas être un chouilla chaud).
8Gbit Rev.D -> Vu dans quelques kits. Aucun retour particulier sur l'OC.
8Gbit Rev.E -> C'est la fameuse E-Die dont on parlera + en détail dans la section comment l'OC. Scale bien avec le voltage. C'est LA mémoire pour mettre des recors du monde de fréquence. Généralement intéressant de bien la refroidir car on va souvent lui donner de très gros voltages. Intéressant sous LN2/ avec un très bon refroidissement.
16Gbit Rev.B -> Ceci n'est PAS la B-Die dont je parle partout ailleurs. Actuellement la 16Gbit Rev.B clock bien. Elle peux être partiellement désactivé afin de permettre d'atteindre des fréquences encore meilleurs. C'est la mémoire qui montera le + haut en fréquence avec 1.5V ou moins, elle pert un peu de son interet quand on lui met + de voltage. Elle est entre autre utilisé sur les barrette de DDR4 à 5000+mhz(dans ce cas la moitié de la RAM est désactivé sur chaque puces).
16Gbit Rev.E: C'est tout nouveau et surtout inconnu au bataillon. R.A.S.
Nanya
4Gbit Rev.B -> Ceci n'est pas ce que j'appelle B-Die. La 4Gbit Rev.B est vieille, enlevée du site de Nanya. N'est plus produite. Ne clock pas bien. Personne n'a jamais réussi à faire monter ces sticks à + de 3100mhz.
4Gbit Rev.D -> Listé sur le site de Nanya. Utilisé sur certains rares sticks de 4Go. Aussi utilisé comme RAM pour les SSD.
8Gbit Rev.A -> Rien d'extraordinaire. Quasi inconnu. Capable de 3200 cl 16-18-18-36 à 1.35V. Tout comme la majorité des sticks du marché.
8Gbit Rev.B -> Ceci n'est PAS ce que j'appelle la B-Die. Ceci est une IC quasi inconnu. Qui existe probablement dans certains sticks, produit en 2019. R.A.S. puisqu'il est quasi impossible de trouver quoi que ce soit sur cette IC.
Samsung
4Gbit Rev.D -> Plutôt pas mal, capable de DDR4-3733 CL13/15
4Gbit Rev.E -> Bonne fréquences; Capable de 4000+mhz. Aussi bon que la B-Die sur le CL mais inférieur sur les autres timings. Ca reste très décent. Aucun info sur le comportement face au voltage.
4Gbit Rev.T -> Non listé par Samsung mais s'est retrouvé dans la nature sur des stick de 2666mhe destiné à des OEM. Apparemment s'oc comme de la 4Gbit Rev.E de chez Samsung.
4Gbit Rev.F -> Peu connu, récent. Se retouve dans quelques barrettes en tout genre. R.A.S. car peu connu et rare.
8Gbit Rev.B -> La voila, la fameuse B-Die; On va en parler plus + loin dans ce tuto mais elle scale très bien avec le voltage et peux tenir de très bon timings. A besoin d'utiliser maxmem si vous lui mettez + de 1.75V aux fesses. Aime être bien refroidi. (vers les 15/20° c'est top généralement). C'est le top du top.
8Gbit Rev.C -> Ceci n'est pas ce que j'appelle la C-Die. Ceci est actuellement capable de monter à 3600mhz 18-20-20 voir 3800mhz pour les très chanceux. Scale jusqu'a 1.3/1.35V.
8Gbit Rev.D -> Apparemment capable de 3600mhz CL14 à 1.5V. Ce qui semble proche de ce que j'appelle la "E-Die". Hélas on manque d'infos dessus. Couramment utilisé dans pléthore de machine OEM.
8Gbit Rev.E -> Ceci n'est pas ce que j'appelle la E-Die; Ceci est récent (fin 2020). On a très peu de retour la dessus; Il semblerait que ce soit comme ce que j'appelle la C-Die mais en (encore!) pire au niveau voltage.
16Gbit Rev.M -> Trouvé dans certains sticks OEM et dans d'autres de 32Go pour être retail. Voltage scaling douteux.
16Gbit Rev.A -> Quasi aucun détails de connus. R.A.S.
Voila, c'était presque tout les type de mémoire du marché. Presque...
Conseils généraux afin d'acheter sa DDR4:
N'achetez JAMAIS de DDR4 "récente" spécifié pour moins de 3200mhz si vous voulez OC. En dessous de 3200mhz ce sont des "binning reject". Donc de TRES mauvais stick à cause de la piètre qualité des puces. Avec ce genre de stick même si vous avez de la B-Die celle-ci risque d'être tellement mauvaise que vous ne pourrez surement peu/pas OC. Il ne sert à rien d'investir énormément dans de la DDR4. Un kit de B-Die milieu de gamme clockera surement aussi bien ou presque qu'un kit + HDG.
Ensuite tout dépends du type de puce que vous voulez:
La B-Die est le type de puce le plus prisé pour OC. Ca monte bien en fréquence et les timings sont serrés. Le top du top pour un OC h24.
La E-Die quand à elle peux monter à des fréquences encore bien plus élevées. Mais par contre aura certains timings qui en pâtirons. Nous verrons lesquels plus tard. Ce genre de mémoire est utilisé pour faire des records de fréquences. Moins prisé que la B-Die la E-Die reste tout de même bonne pour d'OC.
La C-Die quand à elle est très très courante. C'est pourquoi je l'inclus ici. Elle ne s'OC pas vraiment bien mais est très très très cheap et peux dépanner.
Mais, vous allez me dire, comment je reconnais quel type de mémoire c'est?
Ce n'est pas bien compliqué. tout d'abord ne prenez bien que de la ram spécifié pour 3200mhz ou +, sinon ca ne marchera pas:
-B-Die : Calculez le fréquence de la ram divisé par le cl.(par ex. 3200/14=228). Si le résultat est supérieur à 200, alors vérifiez que les 3 premiers timings sont identiques ou n'ont pas plus de 1 de différence (par ex. 3200mhz CL14-14-14-36 ou encore 3600mhz cl 16-16-16-38 ou encore 4000mhz cl 18-19-19-42). Généralement la B-Die à une tension comprise entre 1.35V et 1.5V (certains kit extrêmes montent jusqu'à 1.6V). Le plus pratique si l'on n'est pas sûr reste donc de se référer à une liste contenant toutes les référence ayant de la B-Die.
Cette liste est particulièrement complète:
https://www.hardwareluxx.de/community/threads/die-ultimative-hardwareluxx-samsung-8gb-b-die-liste-alle-hersteller-04-01-22.1161530/
E-Die : Celle-ci se trouve à l'heure actuelle principalement sur des kits avec de grosses fréquences. 3600mhz au minimum (c'est rare), plus couramment sur les 3800mhz et +. Elle est relativement simple à repérer puisque, généralement, sur les kit avec une grosse fréquence on verra que le deuxième timing (on donnera tout leurs petits noms plus + tard) est généralement très élevé. Pourquoi? Simplement car ce timing sur de la E-Die ne scale pas du tout avec le voltage. Alors si vous avez 2x + de fréquence il faudra forcément 2x + du fameux deuxième timing. Il n'existe malheureusement pas de solution infaillible. En effet afin de faciliter le process de binning les fabricant mettent toujours un 2nd et un 3eme timing identiques! Donc, en gros, si vous voulez à tout prix être sur d'avoir de la E-Die achetez un kit à 4000+mhz avec des timings très "larges" (par ex. un hypothétique 4400 cl19-23-23-46). Même comme ca il est possible de ne pas avoir de E-Die; En effet la E-Die excelle à des voltages que les revendeurs ne teste généralement pas.
C-Die: il n'y a aucun raison de vouloir de la C-Die. Ca se trouve très souvent sur de la 3200mhz cl16-18-18-36 ou encore de la 3600 cl18-20-20-40. Il existe aussi quelques rares kit de C-Die à 3800mhz avec des timings dégueulasses. A fuir..............hormis si vous êtes sur un budget très très très limité. En effet pour 50E il y a moyen d'avoir 2x8go en C-Die (2x8go en E-Die c'est minimum 80E et 2x8 Go en B-Die c'est minimum 90-100E). Et malgré tout ca reste mieux que la plupart des autres types de puce.
Remarques générales sur l''overclocking de la DDR4:
L'overclocking de la ram est lui aussi régit par la silicon lottery. Et pas que par le silicium des barrettes de ram mais aussi par le contrôleur CPU! Généralement c'est le contrôleur du CPU qui montrera des faiblesses en premier quand on augmente la fréquence. Alors qu'a l'inverse avoir des timings serrés dépend plus du stick en lui même. Avoir + de barrettes sur + de ranks augmente la charge du contrôleur CPU.
Ensuite il y a un autre facteur qui entre en jeu. Vous avez peut être de la B-Die mais pas forcément les mêmes PCB. Le PCB influe un peu sur les capacités d'OC (c'est pas énorme non plus).
Les trois PCB les plus courants sont:
A0 : le PCB originel de la ddr4. Bon timing, un peu limitant au niveau fréquence sur du + de 3800/4000mhz.
Les puces sont répartis le long du stick à intervalles réguliers.
A1: un PCB fait pour les serveurs avec un emplacement pour une puce ECC, il est peu probable que vous en croisiez un. Clock mal, gestion du voltage très foireuse. Pas du tout fait pour OC.
A2: le PCB le plus courant depuis plusieurs années. Clock bien, bon timings. Les puces se trouvent groupés par 4 à chaque extrémités du stick.
Autres: d'autres PCB existent mais ils sont spécifique à certaines ref/marques. Généralement c'est ceux qui posent le + de pb de compatibilité.
Il existe 2 variantes du PCB A2. Une ayant un peu plus de "circuiterie" en dessous des puces (j'ai plus le nom sur le coup.....) et l'autre n'ayant rien de tout ca en dessous. La version avec la "circuiterie" en dessous est légèrement meilleur. Ca ne devrais de toute manière pas être un problème puisque actuellement si on exclue les stick très bas de gamme tous ont cette "circuiterie".
Courage on va bientôt commencer à OC. Mais tout d'abord il faut voir les timings de la RAM. En effet la DDR4 à plusieurs type de timings. On a tout d'abord les timing principaux. C'est ceux indiqués quand on achète de la ram (par ex 3200mhz cl14-14-14-32). Ceux ci sont les plus important, pour un novice il vaut mieux ne toucher qu'a ces timings, sinon il risque vite de se perdre. Ensuite viennent les timings secondaires. Il y en a une multitude. Les timings principaux (aussi appelés primaires) et les timings secondaires sont dépendant du stick en lui même. Les timings tertiaire dépendent, eux, du contrôleur du CPU. Généralement les cartes mères sont + ou - mauvaises pour les settings auto des primaires et des secondaires. Mais étonnamment bonnes pour les timings tertiaires. Tant mieux, ca nous fait toujours quelques timings a peaufiner en moins.
Il existe aussi d'autres réglages, n'entrant dans aucune catégorie. Je ne détaillerai que ceux qui en valent la peine. La plupart étant inutiles hors cas extrêmement particulier.
Disclaimer
Je ne peux en aucun cas être tenu pour responsable si vous endommagez ou tuez votre matériel en faisant de fausses manip, volontaires ou non.
Selon votre plateforme:
Ici je ne vais, pour l'instant, que détailler pour Ryzen. Plus tard viendra une partie sur Intel mais je n'ai actuellement jamais eu de plateforme intel en DDR4 sous la main. Ce qui complexifie quand même la tache d'expliquer comment faire...
Sous Ryzen:
Etant donné qu'il n'est actuellement pas souhaitable de passer le contrôleur mémoire d'un Ryzen en mode 2:1 on se contentera de vitesse "modestes". On compensera avec des timings très serrés.
Commençons par régler quelques voltages:
Afin de rendre + stable notre overclocking nous allons tweak certains voltages.
VDDG CCD et VDDG IOD doivent tout deux être mis sur la même valeur, sinon l'une des valeurs prendra automatiquement le dessus. Je recommande ici 1.1V. Car c'est un voltage safe pour du h24 et aidant tout de même à stabiliser son OC. Je recommande de ne PAS dépasser cette valeur.
CPU Nb/SoC Voltage doit être mis entre 1.05V et 1.15V. 1.15V est le maximum safe pour du h24. Je conseille de le mettre à 1.15. Si vraiment vous cherchez à économiser une poignée de W vous pourrez toujours le redescendre + tard.
Par contre il y a une règle à respecter. Le SoC Voltage doit toujours être supérieur d'au moins 40-50mv à VDDG CCD et VDDG IOD car ces deux dernière tensions sont dérivés du SoC voltage.
Maintenant nous allons parler de l'infinity fabric. C'est à l'intérieur du processeur et c'est ce qui va permettre au processeur d'accéder à la mémoire etc...C'est extrêmement complexe. Pour ceux souhaitant en découvrir encore + sur l'infinity fabric vous pouvez tout trouver ici:
https://en.wikichip.org/wiki/amd/infinity_fabric
L'infinity fabric tourne à une certaine fréquence. On essaye actuellement de garder cette fréquence synchronisé par rapport à la fréquence de notre ram. Je rappelle que le DDR (Double Data Rate) fait 2 x + de mt/s que sa vitesse en mhz. On parle couramment de ram en XXXXmhz alors qu'en réalité c'est de la XXXXmt/s ,tournant donc à XXXX/2 mhz. De la ram appelé couramment comme étant à 3800mhz ne tourne en vrai qu'a 1900mhz. On va donc essayer de synchroniser la "vrai" fréquence de notre ram avec la fréquence de notre IF (infinity fabric). Sachez que peu importe les timing/réglages auxquels votre ram tourne la fréquence max de votre IF ne changera pas. Par contre des réglages comme par ex. le voltage de votre VDDG CCD et de votre VDDG IOD (et donc aussi indirectement SoC Voltage) influent sur la fréquence max à laquelle votre IF ira. C'est pourquoi je conseille de garder ces valeurs au max de ce qui est safe pour du h24. Pour le reste de ce tuto je vais utiliser les fréquences "courantes" et non pas les "vrai" fréquences afin d'éviter au lecteurs de s'emméler les pinceaux.
Pour tester la fréquence max que veux bien atteindre l'IF je recommande d'utiliser cette technique:
Je met ma mémoire a une certaine fréquence (par ex. 3800mhz). Je laisse ici tout les timings en auto, ils ne sont pas importants.
J'ajuste la vitesse de mon infinity fabric (aussi appelé IF ou encore FCLK), pour du 3800mhz je doit mettre mon FCLK à 1900mhz
Je met mon contrôleur mémoire en mode 1:1 en mettant ULCK DIV1 MODE sur "ULCK==MEMCLOCK". Il est possible que dans votre BIOS cette option s'appelle autrement.
Ensuite je vais tester si mon IF est stable à cette vitesse.
Comment?
J'utilise IntelBurntest. Vous pouvez le télécharger ici:
https://www.techpowerup.com/download/intelburntest/
J'utilise couramment le preset normal. Si votre IF est instable il devrait vous sortit une erreur en quelques dizaines de secondes. Réessayer alors avec une fréquence mémoire et une fréquence IF inférieur. Pensez bien à correctement reparamétrer votre fréquence d'IF à chaque fois que vous tentez une autre fréquence de DDR4. Réessayez la manip jusqu'à obtenir la fréquence max à laquelle votre IF veut bien monter. Généralement votre IF devrait plafonner vers 1867/1900mhz (=ddr4 à 3733mhz/3800mhz)
Ma méthode afin de tester les timing est de changer un paramètre, essayer de rebooter; Si j'arrive dans le BIOS au prochain boot j'en change encore un etc jusqu'à avoir 3 paramètres qui ont changés. Alors j'essaye de booter sous Windows et de faire tourner IntelBurntest ou memtest (intelburntest est mieux). Si ca marche pas je reviens au derniers settings fonctionnel que j'avais. Pensez bien à sauvegarder très très régulièrement vos settings.
Pour tester la stabilité de vos timing je recommande d'utiliser memtest. Et si vous etes sous Ryzen vous pouvez facilement checker tout vos timings avec ZenTimings. (Il existe aussi Ryzen Timings Checker, ce dernier donnera + de timings tertiaires. Mais de toute façon ceux ci sont inutiles ou bloqués dans le BIOS (par bloqués je veux dire invisibles) ).
Je signale que les ryzen n'aime pas particulièrement les timings impairs sur le tCL (c'est le 1er timing, couramment connu comme le cl ou encore le cas).
Les ryzen on aussi un doublon pour le deuxième timing connu sous le nom de tRCD. En effet au lieu d'avoir ce timing on a le tRCDWR (pour l'écriture et le tRCDRD (pour la lecture). Si vous commencez tout juste à OC mettez les deux sur la même valeur. Tips pour les connaisseurs: tRCDWR peut être bien + petit que tRCDRD. Pour autant l'impact de perf entre un tRCDWR bien mis ou mis à l'arrache est quasi négligeable.
Les différents timings/réglages
Je vais ici détailler tout les timings, dire ce à quoi ils correspondent et dire quelques remarques dessus si nécessaire. Je spécifierai aussi ce que l'on dois essayer de faire avec ces timings/réglages. Cette partie contiendra beaucoup d'anglais afin d'expliquer à quoi sert chaque timing/réglage. Sinon c'est quasi impossible d'expliquer quoi que ce soit. Je préciserai aussi les formule pour calculer les timings si il y en a. Notez qu'il est possible que selon le BIOS les timings ne soient pas dans le même ordre. Voir même que les timings secondaire/tertiaires ne soient pas dans les bonnes catégories. (retrouver des timings secondaires dans les timings tertiaire et des timings tertiaires dans les timings secondaires). Il est par ailleurs tout à fait possible que vous n'ayez pas tout ces timings dans votre BIOS.
Les timings primaires:
tCL : CL (Column Latency, aussi appelé CAS (Column Access Strobe). C'est le timing le plus important. Objectif : aller le plus bas possible
tRCD : Ce timing est subdivisé en deux timings sur ryzen. Chez intel un seul timing s'occupe des deux.
tRCDWR: Row Address Strobe (RAS) to Column Address Strobe (CAS) Delay (Write). Objectif : aller le plus bas possible
tRCDRD: RAS to CAS Delay (Read). The delay between when a row address is activated and when a column address is activated for reading. C'est la
même chose que tRCDWR mais pour écrire. tCL + tRP
tRP: Row Precharge Time. The amount of time it takes to deactivate (precharge) one row of memory and activate a new row of memory (on the same rank). Objectif : aller le plus bas possible.
tRAS: RAS Active Time. The minimum time between a row of memory being activated and precharged. Formule: tCL + tRP - ?. Le ? dépend des sticks que vous possédez. Objectif : aller le plus bas possible.
CR: Command Rate. The amount of consecutive clock cycles that commands must be sent to the DRAM to ensure that the command is executed. Le mieux est de l'avoir sur 1, cependant 2 peux aider au niveau stabilité surtout avec 4+ sticks de RAM.
Les timings secondaires:
tRC: Row Cycle Time. The minimum amount of time between activation commands to the same memory bank. Forumle. Ne pourra JAMAIS être inférieur à tRAS + tRP. Objectif : aller le plus bas possible.
tRCPage: Page Time Line Period. Ne necessite pas d'etre changé. Il vaut mieux juste le laisser à sa valeur par défaut, 0.
tRRDS: RAS to RAS Delay, Different Bank Group. The delay between two row activations across different bank groups. Sur certains type de mémoire il est aisément possible que vous vous retrouviez à mettre ce timing au minimum que permet votre BIOS. Objectif : aller le plus bas possible.
tRRDL: RAS to RAS Delay, Same Bank Group. The delay between two row activations within one bank group. La meme chose que tRRDS mais s'appliquant à plusieur groupes de bank. Généralement ce timing est le même que tRRDS.
tFAW: Four Activate Window. The amount of time in which four row activations can occur within the same rank. Au moins chez AMD le minimum pour ce timing est 4 x tRRDS. Une valeur inférieur ne changera rien. Si 4 * tRRDS ne marche pas généralement 5 * tRRDS marchera. Ou, au pire, 8 * tRRDS. Objectif : aller le plus bas possible.
tFAWDLR: Si vous avez ce timing dans votre BIOS vous ne pourrez surement pas le modifier. Rien à dire dessus puisqu'il est inchangeable. Généralement sa valeur par défaut est 0.
tFAWSLR: Idem.
tWTRS: Write to Read Delay, Different Bank Group. The delay between a successful write command and a read command across different bank groups.
Il est possible que cette valeur descende très bas (jusqu'a 2). Objectif : aller le plus bas possible.
tWTRL: Write to Read Delay, Same Bank Group. The delay between a successful write command and a read command within one bank group. Exactement la meme chose que tWTRS mais la valeur la plus basse atteignable est 7.
tWR: Write Recovery Time. The delay between a successful write command and the active bank being precharged. Formule: tRAS - tRCD - ?. Ou ? dépend du stick. Objectif: le plus bas possible mais ce timing ne doit JAMAIS être inférieur à 8 sinon votre OC ne pourra JAMAIS être stable.
Maintenant quelques timing se ressemblant beaucoups:
tRDRD _ _ (_): Read to Read Delay. The delay between two read commands.
tRDRDSC: tRDRD, Different Bank Group. Involves two rows in different bank groups.
tRDRDSCL: tRDRD, Same Bank Group. Involves two rows within one bank group. A un gros impact sur la bande passante.
tRDRDSD: tRDRD, Different Rank. Involves two rows in different ranks of a DIMM.
tRDRDDD: tRDRD, Different DIMM. Involves two rows on different DIMMs.
Tout ces timings devrait pouvoir etre mis sur 1 ou 2. Objectif: le plus bas possible, même si honnêtement ils ont peu d'importance et ne changeront pas la
stabilité des sticks.
tWRWR _ _ (_): Write to Write Delay. The delay between two write commands.
tWRWRSC: tWRWR, Different Bank Group. Involves two rows in different bank groups.
tWRWRSCL: tWRWR, Same Bank Group. Involves two rows within one bank group. A un gros impact sur le bande passante, comme tRDRDSCL
tWRWRSD: tWRWR, Different Rank. Involves two rows in different ranks of a DIMM.
tWRWRDD: tWRWR, Different DIMM. Involves two rows on different DIMMs.
Idem que pour tRDRD _ _ (_) puisque c'est la même chose mais pour les écriture cette fois!
tRFC: Refresh Cycle Time. The amount of time between a refresh command and an activation command being executed by the DRAM. Formule: 8 x tRC OU 8 x tRC + 8. Vous pouvez ensuite réduire ce nombre par autant de tranches de 10 qu'il est possible.
tCWL: CAS Write Latency. The delay between when the IMC activates a column of memory and when a write command is executed. C'est la meme chose que le fameux tCL (=CL ou encore CAS) que "tout le monde" connait. Mais pour les écritures. Je n'ai AUCUNE idée de pourquoi le timing pour l'écriture est beaucoup moins important que le timing de lecture. Ce timing impacte énormément la stabilité. Formule: tCL ou tCL - 1. Il est possible de descendre un peu plus bas mais ca coutera beaucoup au niveau stabilité. Donc il vaut mieux ne pas essayer de trop resserrer ce timing.
tRTP: Read to Precharge Delay. The delay between a read command and a row precharge in the same rank. Objectif: aussi bas que possible.
tRDWR: Read Write Command Spacing. The amount of turn-around clocks between a read command and a write command on the same rank. Voir tWRRD situé juste en dessous.
tWRRD: Write Read Command Spacing. The amount of turn-around clocks between a write command and a read command on the same rank. Presque la même chose que tRDWR. Généralement il y aura toujours une de ces deux valeurs qui ira bas et l'autre qui restera élevé. Il vaut mieux alors en mettre une en auto, resserrer l'autre autant qu'il est possible, puis resserrer celle qu'on avait laissé en auto.
tCKE: Clock Enable Time. The minimum amount of time it takes for a CKE pulse to occur. Objectif: le mettre aussi bas que possible tant que la carte mère accepte encore de POST. Cela aide à resserrer d'autres timings. Il n'y a que peu de détails connus sur ce timing.
tRPPB: Row Precharge Time, Per-Bank/Single Bank. Bloqué dans le bios sur sa valeur par défaut. Utilisé dans la LPDDR des portables. La seul formule existant avec ce timing est la suivante tRC = tRAS + tRPPB (formule uniquement valable sur un portable).
tRCPB: Row Cycle Time, Per-Bank/Single Bank. Lié à tRPPB vu le nom. Inconnu personnellement. Idem c'est bloqué dans le BIOS.
tRRDDLR: Locké dans le bios sur 0. Aucune idée de ce que c'est.
tRDRDBAN: Read to Read Timing Ban. Bloqué sur 2 dans le BIOS.
Ban 0 - no ban, control of signal traffic done by tRDRDSDSC, tRDRDSDDC, and tRDRDDD.
Ban 1 - bans tRDRD for one clock cycles.
Ban 2 - bans tRDRD for two clock cycles.
tRDRDSCDLR: Aucune idée de ce que c'est. Locké sur 0 dans le BIOS.
tWRWRBAN: Write to Write Timing Ban. Basically tRDRDBAN, but regarding write operations. Idem que tRDRDBAN
tRDRDSCDLR: Locké sur 0 dans le BIOS.
tWRRDSCDLR: Locké sur 0 dans le BIOS.
Les timings tertiaires:
Si les timings secondaire n'étaient pas assez abstraits pour vous, vous voila servi! La majorité de ces timings ne méritent pas d'être changés. Pourquoi ? Impacte quasi négligeable sur les perf. Et ils sont horrible à valider coté stabilité. Le seul timings secondaire un minimum intéressant à changer est tREF (aussi appelé tREFI). Hormis pour tREF(tREFI) je ne donnerai aucun indications de valeurs possible. Tout simplement car ou l'on ne connait pas bien ces timings ou alors ils varient trop selon le type de mémoire ou alors ils sont insignifiants.
tREF/tREFI: Refresh Time. The amount of cycles between memory refreshes. Je n'ai personnellement AUCUNE expérience avec ce timing puisqu'il n'existe tout simplement pas (ou tout du moins n'est pas réglable) sous Ryzen! La seul chose que je sait est qu'il scale avec la fréquence et non pas avec le voltage.
Généralement une valeur de 32768 est safe. Il est possible de monter jusqu'à 65536.
tMOD: MRS (Mode Register Set) Command to Non-MRS Command Delay.
tMODPDA: MRS (Mode Register Set) Command to Non-MRS Command Delay, Per DRAM Addressability Mode.
tMRD: Mode Register Set Command Cycle Time.
tMRDPDA: Mode Register Set Command Cycle Time, Per DRAM Addressability Mode.
tSTAG: Subrefresh Staggering Delay.
tSTAGLR: lié à tSTAG Désactivé dans le BIOS. Il semblerait que se soir un offset de tSTAG.
tPHYWRD:lié à l'écriture et à une puce appelé Phy se trouvant dans le SoC des Ryzen.
tPHYWRL: Idem
tPHYRDL: Idem mais lié aux écritures.
tRDDATA: Aucune idée, lié à la lecture. "DATA"?????
tWRMPR: Visiblement lié à l'écriture.
tMAW: Inconnu. Ne se trouve que sur certaines obscures documentations d'AMD.
tMAC: Inconnu. Ne se trouve que sur certaines obscures documentations d'AMD.
Il existe surement d'autres timings tertiaires mais ils ne peuvent pas être ajustés. Ceux ci sont généralement bien planqués au fond d'une documentation perdu quelque par sur la toile...
Mais comment OC ma mémoire?
Maintenant que vous avez vos sticks, que vous savez quel type de die vous avez et avez paramétré grossièrement les voltages nous pouvons (enfin!) commencer à voir comment overclocker!
Je décrirait ici tout sous forme d'étapes courtes afin de rendre le tout plus lisible.
Pour la B-Die:
Mettez directement le voltage de vos sticks à 1.5V. C'est la max connu comme étant 100% safe pour du h24. Les plus téméraires peuvent monter jusqu'à 1.6V. mais on n'est pas vraiment sûr des répercussions à très long terme. Si vous benchez sous ln2 alors mettez 1.8V voir 2V si votre carte mère le permet. Si pour bench il vous faut dépasser les 1.75V il faudra commencer à limiter la ram à laquelle Windows à accès. Soit avec msconfig soit avec une commande dans l'invite de commande. Ne mettez jamais ce genre de voltage sans vraiment savoir ce que vous faites.
Ensuite vu que + haut on a pu voir comment trouver la fréquence max à laquelle on pourra faire tourner sa RAM en mode 1:1 eh beh on met cette vitesse dans le BIOS. En essayant de garder les même timing que le xmp. Si la vitesse de votre xmp est + faible que celle que vous essayez d'atteindre. Si votre XMP est à 4400mhz par ex et que vous visez 3800mhz vous pouvez déjà commencer à resserrer les timings. "Hélas" les Ryzen n'aime pas vraiment les timings impairs. Tout particulièrement pour le tCL (le premier timing, celui que tout le monde connait sous le nom de cl ou de cas). Pour un OC vers les 3800mhz cl14 est souvent faisable. Vous pouvez commencer avec CL16 pour être très safe si vous le souhaitez. Un exemple typique d'un bon oc à 3800mhz donnerai ca: 3800mhz cl14-16-13-13-27. Une petite astuce. Le dernier timing primaire (tRAS) est toujours = tRCDRD + tCL. Ici on a 14 + 16 = 30. Après selon la silicon lottery vous pourrez + ou - resserrer ce timings. Dans ce cas il a pu être resserré de 3 crans.
Maintenant intéressons nous au timings secondaires. Pour tRC (le 1er timing seondaire) il n'y a hélas pas de formule universel. Si vous voulez atteindre les 3800mhz env. je vous conseillerai de partir avec 50. Puis pour cette valeur de réduire 2 par 2 à chaque test. Sinon vous n'en finirez jamais. Ensuite vient de dernier timing secondaire dont je parlerai dans cette v1 du guide. tRFC1/2/4 souvent juste appelé tRFC. Pour un oc vers les 3800mhz à peu près n'importe quelle b-die devrai tenir 400. Ce paramètre peux être réduit par tranche de 10 à chaque essai. Il existe une formule, très approximative, pour calculer le tRFC. tRFC = tRC x 8 + 8 devrais fonctionner sans problème. Il existe d'autres variantes de cette formule telles que tRC x 8 ou encore tRC x 5 + 8. Ce sont diverses formules. Aucune n'est exacte. Mais ca donne une idée des réglages que l'on peux mettre.
Maintenant ce que je vais appeler les réglages MISC c'est un peu un raccourci mais je veux dire tout ce qui n'est ni primaire, ni secondaire, ni tertiaire. Tout d'abord je recommande la désactivation de tout les mécanisme d'économie d'énergie/d'optimisation. Donc de désactiver le power down enable, le BankGroupSwap, le BankGroupSwapAlt. Je conseille aussi de régler de qui s'appelle le ProcODT sur 60ohm ou une valeurs légèrement inférieur/supérieur à 60ohm.
Etant toujours crevé ce soir la partie sur la C-Die et sur la E-Die arrivera malheureusement demain. Ou plutôt vu l'heure aujourd'hui en fait
Les détails sur chaque timings arriveront en même temps. Désolé pour le délai supplémentaire........
Patch note:
14h 11/01/22 : meilleurs explication sur l'IF, rapides explications sur l'intérêt d'OC sa RAM.
Demain arrive le nécessaire pour OC de la C-Die et de la E-Die.
23h55 15/01/2022 : mise en place d'une partie décrivant rapidement tout les type de chip existants. Améliorations de diverses autre parties. Ajout d'une sélection d'outils que je recommande.
23h 16/01/2022 : ajout d'explications détaillés de TOUT les timings.
Dernière édition par TheBestOfTheWorst le 17 janvier 2022 à 12:14; édité 15 fois
Posté le: 10 janvier 2022 à 23:19
Question con: pourquoi overclocker la RAM? Qu'a-t-on à gagner?
Ça pourrait être bien d'avoir une petite ligne l'expliquant non?
Merci sinon
Ça pourrait être bien d'avoir une petite ligne l'expliquant non?
Merci sinon
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Posté le: 10 janvier 2022 à 23:46
Je rajoute ça demain. Grosso modo in Game par ex. on gagne entre 2 et 10% de perf selon le jeu. En application ça dépend vraiment de si l'appli préfère avoir beaucoup de bande passante ou de meilleurs latences.
PS: c'est fait.
Dernière édition par TheBestOfTheWorst le 11 janvier 2022 à 14:07; édité 1 fois
PS: c'est fait.
Dernière édition par TheBestOfTheWorst le 11 janvier 2022 à 14:07; édité 1 fois
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Posté le: 11 janvier 2022 à 01:50
Merci pour le temps que tu consacres a ce sujet :)
Soit prêt a te faire assommer de question ^^
Tu ne touches jamais au tRP ?
Qu'est que l'Infinity Fabric et où trouve t on sa valeur ? Cette valeur ne fluctue jamais ?
Soit prêt a te faire assommer de question ^^
Tu ne touches jamais au tRP ?
Qu'est que l'Infinity Fabric et où trouve t on sa valeur ? Cette valeur ne fluctue jamais ?
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Bulder @
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Posté le: 11 janvier 2022 à 05:14
On peut voir les spécificités de sa RAM avec Thaiphoon Burner
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Posté le: 11 janvier 2022 à 07:53
Excellent, @TheBestOfTheWorst.
Dès que je trouve un peu de temps, j'irai bidouiller ma RAM, et tenter de suivre tes explications.
Dès que je trouve un peu de temps, j'irai bidouiller ma RAM, et tenter de suivre tes explications.
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Posté le: 11 janvier 2022 à 09:01
| Bulder a écrit: |
| On peut voir les spécificités de sa RAM avec Thaiphoon Burner |
Il me semble que ce n'est pas tout à fait exact. Taiphoon se base sur un référentiel, si par exemple corsair a une ram référentiel XXX avec du B-Die alors Taiphoon nous informera que notre ram sera du B-Die, or corsair peut décidé de garder ce même référentiel et y mettre des puces C-Die. Je ne connais pas de logiciel capable de reconnaitre a 100% le type de puce utiliser.
TheBestOfTheWorst @
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Posté le: 11 janvier 2022 à 09:07
En effet dès que taiphoon burner se sait pas ce qu'il a il mettra par défaut b-die. Sinon si ça ne vous dérange pas la seul vrai bonne solution pour être sur reste d'enlever le heatspreader pour regarder les numéros de séries des puces. Et là vous serez sur à 100%. Sinon il y généralement des indications du type de puce dans les références produit. J'ajouterai ça au guide d'ici peu.
Ps:je vais refaire et mieux détailler mes explications sur l'infinity fabric. Ajouter des images serait un +. Je vais voir pour faire ça. Je vais aussi ajouter les outils pour checker ses timings sous Windows.
Dernière édition par TheBestOfTheWorst le 11 janvier 2022 à 10:00; édité 4 fois
Ps:je vais refaire et mieux détailler mes explications sur l'infinity fabric. Ajouter des images serait un +. Je vais voir pour faire ça. Je vais aussi ajouter les outils pour checker ses timings sous Windows.
Dernière édition par TheBestOfTheWorst le 11 janvier 2022 à 10:00; édité 4 fois
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Sphx @
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Posté le: 11 janvier 2022 à 09:16
Citation : "Etant crevé ce soir la partie sur la E-Die et celle sur la C-Die arriveront demain/après demain Cool"
Je trouve ça inadmissible...
Bravo pour ce tuto/guide, continue comme ça !
Je n'ai pas de plateforme ryzen donc je vais pas m'en servir pour le moment.
Des petits screenshots pourraient aider les plus frileux a mon avis, ne serait-ce que pour imager.
C'est vrai qu'il manque de tuto/guide sur ce forum Hardware ce qui est bien dommage (il en existe plein ailleurs mais bon..)
Thx pour le temps passer à écrire. On attend la suite !
Je trouve ça inadmissible...
Bravo pour ce tuto/guide, continue comme ça !
Je n'ai pas de plateforme ryzen donc je vais pas m'en servir pour le moment.
Des petits screenshots pourraient aider les plus frileux a mon avis, ne serait-ce que pour imager.
C'est vrai qu'il manque de tuto/guide sur ce forum Hardware ce qui est bien dommage (il en existe plein ailleurs mais bon..)
Thx pour le temps passer à écrire. On attend la suite !
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TheBestOfTheWorst @
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Posté le: 11 janvier 2022 à 14:01
| _PWR_Bruce a écrit: |
| Merci pour le temps que tu consacres a ce sujet :)
Soit prêt a te faire assommer de question ^^ Tu ne touches jamais au tRP ? Qu'est que l'Infinity Fabric et où trouve t on sa valeur ? Cette valeur ne fluctue jamais ? |
Si si j'ajuste le tRP. Ca va bientôt venir, quand je mettrai la version avec tout les timings secondaires/tertiaires. Mais elle risque d'être encore 2x + longue que la version actuelle
Pour l'infinity fabric je viens de mettre à jour et de réexpliquer comment faire.
LaVache @
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Posté le: 11 janvier 2022 à 20:13
Sujet très intéressant, j'ai hâte de lire la suite!
Bon par contre, je pense pas que mes barrettes pourront être overclockées! Mes crucial ballistix ddr4 3200 sont en cl16-18-18-36.
C'est peut-être bien du C-Die! Dans le doute, je ne vais pas risquer l'opération avec ces barrettes!
(Cela dit, elles me donnent entière satisfaction actuellement)
Bon par contre, je pense pas que mes barrettes pourront être overclockées! Mes crucial ballistix ddr4 3200 sont en cl16-18-18-36.
C'est peut-être bien du C-Die! Dans le doute, je ne vais pas risquer l'opération avec ces barrettes!
(Cela dit, elles me donnent entière satisfaction actuellement)
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cordobaseb @
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Posté le: 12 janvier 2022 à 00:21
ma corsair 3000CL15 en D die monte a 3466 en 16 18 18 36 , en 3600 cl 18 ca crash (en mode sagouin avec memory try de ma CM MSI)
donc oui c'est de la daube le D die
après pour gagner 2 fps bon voila quoi
pour mon utilisation très peu d'intérêt , quoi que pour sucer un max sur l'apu pour HWBOT ca aurait pu servir a faire de meilleur score pour la team
CPU:RYZEN 7 5700x,CG:RX 6700XT Pulse,CM: MSI B450 Mortar Titanium,WC: Arctic Liquid Freezer 3 ARGB,RAM: 2x16 Go Corsair VG RT ,SSD:Samsung 860 Evo 500 Go,PSU: Corsair RMV2 850w White,Boitier: Lian Li Lancool II Mesh RGB Blanc,Ventilos: 5x Arctic P12 ARGB
donc oui c'est de la daube le D die
après pour gagner 2 fps bon voila quoi
pour mon utilisation très peu d'intérêt , quoi que pour sucer un max sur l'apu pour HWBOT ca aurait pu servir a faire de meilleur score pour la team
CPU:RYZEN 7 5700x,CG:RX 6700XT Pulse,CM: MSI B450 Mortar Titanium,WC: Arctic Liquid Freezer 3 ARGB,RAM: 2x16 Go Corsair VG RT ,SSD:Samsung 860 Evo 500 Go,PSU: Corsair RMV2 850w White,Boitier: Lian Li Lancool II Mesh RGB Blanc,Ventilos: 5x Arctic P12 ARGB
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Posté le: 12 janvier 2022 à 17:01
J'annonce pour vendredi ou samedi une refonte quasi complète du topic. Avec des explications individuelles pour chaque timing. Une liste de tout les autres type de ddr4 existants et aussi une grosse amélioration sur comment savoir quel type de mémoire on a. Je mettrai aussi simultanément comment oc sa E-Die et sa C-Die.
J'ai du pas sur la planche...
Ps: Et il y aura aussi des photos afin de rendre le tout plus compréhensible!
J'ai du pas sur la planche...
Ps: Et il y aura aussi des photos afin de rendre le tout plus compréhensible!
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