[BESOIN AVIS ELECTRICIEN] SR22 sur GTX 970 HS ? Pourquoi ?

fabmac @
Paysan


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Posté le: 14 février 2015 à 23:37  

Yop !

Ma 970 a cramé et la cause serait ce composant marqué Suntek R22.

J'ai entendu comme un 'plop' assez fort quand je jouais et 10 secondes après, plus d'image. GPU HS !

Je l'ai remarqué car sur mon Waterblock GPU il y a désormais une petite marque comme une trace de brulé !

Quelqu'un saurait il me renseigner sur la cause du problème ? histoire que ca ne recommence pas avec celle revenue de SAV ?

Par avance merci !

Dernière édition par fabmac le 12 octobre 2015 à 15:05; édité 2 fois

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le_civet_farcis @
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Posté le: 15 février 2015 à 00:11  

oO Houlà ton mosfet à complétement explosé là.....

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Mirahine @
Eleveur bovin


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Posté le: 15 février 2015 à 00:12  

C'est quoi le modèle exact de la carte, histoire de le déconseiller à tout le monde...

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maptiviou @
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Posté le: 15 février 2015 à 06:24  

D'après sa config c'est la Inno3D GeForce GTX 970 - 4Go

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loukass @
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Posté le: 15 février 2015 à 06:46  

j’espère juste pour toi que le démontage de la carte n'a pas fait sauter la garantie...

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Ptiwhisky @
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Posté le: 15 février 2015 à 08:35  

loukass a écrit:

j’espère juste pour toi que le démontage de la carte n'a pas fait sauter la garantie...

A ton avis? ^^

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fabmac @
Paysan


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Posté le: 15 février 2015 à 17:55  

Sinon quelqu'un pour me dire a quoi correspond ce composant,quel est son utilité et quelle pourrait etre la cause du souci ? Merci

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le_civet_farcis @
Eleveur bovin


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Posté le: 15 février 2015 à 18:26  

Pour la garantie ...c'est dans le cul la balayette...dommage

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode centrale nommée grille. Il trouve ses applications dans les circuits intégrés numériques, en particulier avec la technologie CMOS, ainsi que dans l'électronique de puissance.

Ces transistors se divisent en deux catégories:

les MOSFET à enrichissement. Ils sont les plus utilisés du fait de leur non conduction en l'absence de polarisation, de leur forte capacité d'intégration ainsi que pour leur fabrication plus aisée.
les MOSFET à appauvrissement. Ceux-ci se caractérisent par un canal conducteur en l'absence de polarisation de grille (V_{GS}=0).

Le transistor est caractérisé par la charge de ses porteurs majoritaires qui détermine s'il est de type P ou N. Les symboles du MOSFET permettent de différencier son type et sa catégorie. Les lettres sur les trois électrodes correspondent au drain, à la source et à la grille.

Le MOSFET a été conçu de façon théorique en 1920 par Julius Edgar Lilienfeld qui le breveta comme étant un composant servant à contrôler le courant1. Cependant, la technologie nécessaire à sa construction ne fut pas disponible avant 1950. En effet, les caractéristiques du MOSFET requièrent des techniques de fabrication non disponibles à cette époque. L'avènement des circuits intégrés permit sa réalisation. Ainsi, M.M Atalla et Dawon Khang des laboratoires Bell construisirent le premier MOSFET en 1960 qui fera son apparition dans les circuits intégrés en 1963. Peu après, l'élaboration de la technologie CMOS assura le futur commercial et technologique du MOSFET en électronique intégrée

Contrairement au transistor bipolaire, le transistor MOSFET fait appel à un seul type de porteur de charge (c'est donc un composant unipolaire). Le principe de base repose sur l'effet du champ électrique appliqué sur la structure métal-oxyde-semiconducteur c'est-à-dire l'électrode de grille, l'isolant (dioxyde de silicium) et la couche semi-conductrice (appelée « substrat »); généralement en micro-électronique la couche métallique est remplacée par du silicium polycristallin.

Lorsque la différence de potentiel entre la grille et le substrat est nulle il ne se passe rien. Au fur et à mesure de l'augmentation de cette différence de potentiel les charges libres dans le semi-conducteur sont repoussées de la jonction semi-conducteur/oxyde, créant tout d'abord une zone dite de « déplétion », puis lorsque la différence de potentiel est suffisamment grande il apparaît une zone « d'inversion ». Cette zone d'inversion est donc une zone où le type de porteurs de charges est opposé à celui du reste du substrat, créant ainsi un « canal » de conduction.

Une analogie très utile pour comprendre facilement le fonctionnement d'un FET, sans utiliser des concepts d'électrostatique, est de le comparer à un robinet d'eau. La grille est la commande analogue au pas de vis du robinet qui contrôle le débit d'eau (courant). Après un quart de tour, il se peut que seul un faible filet d'eau coule. Puis, le courant augmente rapidement avec une faible rotation. Enfin, malgré des tours dans le vide, le courant n'augmente plus, il sature. Enfin, si on veut augmenter le débit du robinet, il faut augmenter la pression de l'eau (différence de potentiel grille-substrat).

source: http://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde

Voltage regulator module

A voltage regulator module (VRM), sometimes called processor power module (PPM), is a buck converter that provides a microprocessor the appropriate supply voltage, converting +5 V or +12 V to a much lower voltage required by the CPU, allowing processors with different supply voltage to be mounted on the same motherboard.
Some voltage regulator modules are soldered onto the motherboard, while others are installed in an open slot designed especially to accept modular voltage regulators. Some processors, such as Intel Haswell CPUs, feature voltage regulation components on the same package (or die) as the CPU, instead of having a VRM as part of the motherboard; such a design brings certain levels of simplification to complex voltage regulation involving numerous CPU supply voltages and dynamic powering up and down of various areas of a CPU. A voltage regulator integrated on-package or on-die is usually referred to as fully integrated voltage regulator (FIVR) or integrated voltage regulator (IVR).

Most modern CPUs require less than 1.5 V, as CPU designers tend to use smaller CPU core voltages; lower voltages help in reducing CPU power dissipation, which is often specified through thermal design power (TDP) that serves as the nominal value for designing CPU cooling systems.

Some voltage regulators provide a fixed supply voltage to the processor, but most of them sense the required supply voltage from the processor, essentially acting as a continuously-variable adjustable regulator. In particular, VRMs that are soldered to the motherboard are supposed to do the sensing, according to the Intel specification.

Modern graphics processing units (GPU) also use a VRM due to higher power and current requirements.

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Ramses @
Métayer


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Posté le: 15 février 2015 à 19:52  

notre electro, peut peut-être le changer, à voir, je lui demanderai mardi si tu veux; ça sera surement moins couteux que d'en racheter une

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fabmac @
Paysan


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Posté le: 23 février 2015 à 11:35  

Ok merci. Mais une de mes connaissances pourrait le faire. Seulement si quelqu'un avait un lieu de l'endroit où se procurer cette puce ?

Le fait que cette puce etait confinée a l'intérieur du waterblock est il la cause du cramage ? Surchauffe ?

Mais est ce vraiment un mosfet ? Ou plutot un inducteur ferrite ?



Ici on voit mieux le composant en cause (SUNTEK R22)

Dernière édition par fabmac le 23 février 2015 à 12:01; édité 5 fois

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Taloken @
Céréalier


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Posté le: 23 février 2015 à 11:55  

le_paté_en_croûte à découvert wikipédia \o/ !! ^^


Sinon, ce R22, c'est une bobine.

C'est un composant chargé de lisser le courant (l'intensité en Ampères), afin de minimiser l'impact des pics/chutes de jus.
Les bobines sont des composants assez costaud, et une qui claque comme ça c'est très problématique.
Je te déconseille de chercher à la changer toi même, car :
1. Même si c'est juste de la soudure, on est pas à l'abri d'une mauvaise manipulation.
2. Ça ne résoudra pas le problème, qui doit venir d'un problème de conception de la CG ou de l'alim.

---

Représentant commercial amateur et bénévole DesignedByGG

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fabmac @
Paysan


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Posté le: 23 février 2015 à 12:03  

Ok merci Taloken !

Concernant la garantie, pas de souci de mon coté je vous rassure. Les étiquettes chez Inno3D ne sont pas sur des vis mais simplement sur le pcb :/

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Mrskyou @
Métayer


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Posté le: 23 février 2015 à 13:22  

putain l'impact de la bobine sur le WB xD

pas de chance ...

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KaptainK @
Céréalier


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Posté le: 23 février 2015 à 13:34  

Une bobine ca peut péter ?

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Mirahine @
Eleveur bovin


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Posté le: 23 février 2015 à 13:47  

KaptainK a écrit:

Une bobine ca peut péter ?

Oui mais c'est très rare et c'est dû à un très mauvais PCB... Surtout quand ça éclate si violemment, normalement, ça grille doucement et ça fait du bruit quand ça meurt, quand ça éclate, c'est que le PCB est dégueulasse...

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