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Samsung et TSMC auraient des difficultés avec les rendements de la gravure en 3 nm

Selon le journal économique coréen ChosunBiz et notre confrère TPU, Samsung et TSMC sont tous deux confrontés à des problèmes de rendement pour leurs process de fabrication en 3 nm. Les deux sociétés proposent des approches différentes pour cette gravure en 3 nm, Samsung utilisant le GAA FET (Gate All Around), alors que TSMC continue d'exploiter sa technologie FinFET. TSMC possède à ce jour au moins cinq nœuds 3 nm connus, dont deux sont en production à l'heure actuelle, un étant exploité pour le soc de l'Iphone 15 Pro par exemple. Samsung, pour sa part, possède trois nœuds de 3 nm connus, dont un seul est en production à ce jour, ce dernier est appelé 3GAE.



samsung tsmc 3nm

ChosunBiz rapporte qu'aucune des deux sociétés n'obtient les rendements que l'on peut attendre d'un nœud qui devrait être en production de masse depuis environ un an, Samsung étant apparemment un peu plus performant que TSMC. Avec respectivement 60 et 50 %, ni Samsung ni TSMC ne sont proches d'un rendement décent. Tout rendement inférieur à 70 % est considéré comme très médiocre et même les 60 % revendiqués par Samsung se limitent à une sorte d'ASIC minier chinois et n'incluent pas la SRAM que l'on trouve dans la plupart des processeurs modernes. ChosunBiz mentionne également une source familière avec les activités de fonderie de Samsung qui évoque un rendement plus proche de 50 % pour l'entreprise. La même source mentionne également que Samsung doit atteindre un rendement d'au moins 70 % pour pouvoir attirer des clients importants vers son nœud 3 nm. samsung tsmc 3nm

On peut donc facilement conclure que ce process 3 nm ne semble pas facile à maitriser.
source : TPU
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Posté le 06 October 2023 à 08:20 par Aurélien Lagny


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