Samsung Electronics présentera prochainement, lors de la Conférence sur les Circuits à Semi-Conducteurs de l'IEEE (SSCC), ses puces mémoire GDDR7 de nouvelle génération. L'entreprise avait déjà évoqué la GDDR7 lors de ses Tech Days en 2022, mais cette fois, nous serons sur le produit final. Ainsi, la future GDDR7 de la marque, qui vise principalement les consoles et les cartes graphiques, devrait offrir un gain en bande passante par deux par rapport à la GDDR6. Les puces GDDR7 devraient offrir un débit de 37 Gbps, avec une densité de 16 Gbit (2 Go).
Le standard de mémoire GDDR7 utilise la signalisation PAM3 pour atteindre ces hauts débits de données. Le standard actuel GDDR6 utilise la signalisation NRZ, tandis que sa déclinaison GDDR6X, co-développée par NVIDIA et Micron Technology, repose sur la signalisation PAM4. Le standard comporte également quatre modes d'horloge de lecture, ce qui devrait aider à la gestion de l'énergie lorsque l'appareil est en veille. NVIDIA et AMD devraient tous deux implémenter la GDDR7 avec leurs GPU de prochaine génération. La GDDR7 entre en production de masse cette année, et devrait être présente dans les cartes graphiques NVIDIA GeForce RTX série 50 Blackwell, ainsi que dans les séries AMD Radeon RX 8000 RDNA4.
En plus de la mémoire GDDR7 à 37 Gbps, Samsung prévoit aussi de présenter plusieurs autres innovations en matière de mémoire lors de l'IEEE-SSCC 2024. Pour commencer, la société va présenter une nouvelle mémoire flash NAND 3D QLC de 280 couches d'une densité de 1 To. Cette puce offre une densité de surface de 28,5 Gb/mm² et une vitesse de 3,2 GB/s. Pour mettre cela en perspective, les types de flash NAND 3D les plus rapides qui alimentent l'actuelle gamme de SSD NVMe haut de gamme reposent sur des taux de données E/S de 2,4 GB/s.
Ensuite, il y a une nouvelle génération de puces mémoire DDR5 offrant des taux de données de DDR5-8000 avec une densité de 32 Gbit (4 Go). Cette puce utilise une architecture de cellule DRAM en mosaïque symétrique, et est construite sur un nœud de fonderie de classe 10 nm de 5e génération optimisé par Samsung pour les produits DRAM. Avec cette puce, on pourra produire des barrettes de DIMM de 32 et 48 Go en single bank et de 64 à 96 Go en dual bank et donc le tout en DDR5-8000.
Le standard de mémoire GDDR7 utilise la signalisation PAM3 pour atteindre ces hauts débits de données. Le standard actuel GDDR6 utilise la signalisation NRZ, tandis que sa déclinaison GDDR6X, co-développée par NVIDIA et Micron Technology, repose sur la signalisation PAM4. Le standard comporte également quatre modes d'horloge de lecture, ce qui devrait aider à la gestion de l'énergie lorsque l'appareil est en veille. NVIDIA et AMD devraient tous deux implémenter la GDDR7 avec leurs GPU de prochaine génération. La GDDR7 entre en production de masse cette année, et devrait être présente dans les cartes graphiques NVIDIA GeForce RTX série 50 Blackwell, ainsi que dans les séries AMD Radeon RX 8000 RDNA4.
En plus de la mémoire GDDR7 à 37 Gbps, Samsung prévoit aussi de présenter plusieurs autres innovations en matière de mémoire lors de l'IEEE-SSCC 2024. Pour commencer, la société va présenter une nouvelle mémoire flash NAND 3D QLC de 280 couches d'une densité de 1 To. Cette puce offre une densité de surface de 28,5 Gb/mm² et une vitesse de 3,2 GB/s. Pour mettre cela en perspective, les types de flash NAND 3D les plus rapides qui alimentent l'actuelle gamme de SSD NVMe haut de gamme reposent sur des taux de données E/S de 2,4 GB/s.
Ensuite, il y a une nouvelle génération de puces mémoire DDR5 offrant des taux de données de DDR5-8000 avec une densité de 32 Gbit (4 Go). Cette puce utilise une architecture de cellule DRAM en mosaïque symétrique, et est construite sur un nœud de fonderie de classe 10 nm de 5e génération optimisé par Samsung pour les produits DRAM. Avec cette puce, on pourra produire des barrettes de DIMM de 32 et 48 Go en single bank et de 64 à 96 Go en dual bank et donc le tout en DDR5-8000.
source : TPU
Marque : Samsung
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Posté le 30 Janvier 2024 à 10:15 par Aurélien Lagny
