Le sud coréen Hynix vient d’annoncer que ses barrettes de mémoires en 40 nm viennent d’être approuvées par le grand gourou Intel. Le fabriquant a soumis à cette approbation deux produits, une barrette de 4Go DDR3 SO-DIMM et 2GB DDR3 UDIMM, les deux fonctionnant à 1333 Mhz pour un voltage de 1,5 V.
Il faut également noter que le passage au 40 Nm permet une baisse de la consommation électrique de 40% et une hausse de productivité de 60% par rapport à la technologie 50 Nm.
Il faut également noter que le passage au 40 Nm permet une baisse de la consommation électrique de 40% et une hausse de productivité de 60% par rapport à la technologie 50 Nm.
source : TC Mag
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Posté le 20 Novembre 2009 à 10:28 par Aurélien Lagny
