Samsung vient d'annoncer avoir débuté la production de masse de puces mémoire HBM 2, d'une capacité de 4 Go et grâce à un process en 20 nm.
Samsung promet un doublement de la bande passante, qui passe de 128 Go/s à 256 Go/s et un quadruplement de la capacité.
Pour l'instant, Samsung empile 4 die de 1 Go, le fondeur promet d'ailleurs d'arriver à un empilement de 8 die dans un futur proche, pour aboutir à une capacité de 8 Go par Buffer Die.
L'HBM2 s'annonce donc très prometteuse.
Samsung promet un doublement de la bande passante, qui passe de 128 Go/s à 256 Go/s et un quadruplement de la capacité.
Pour l'instant, Samsung empile 4 die de 1 Go, le fondeur promet d'ailleurs d'arriver à un empilement de 8 die dans un futur proche, pour aboutir à une capacité de 8 Go par Buffer Die.
L'HBM2 s'annonce donc très prometteuse.
source : Fudzilla
Marque : Samsung
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Posté le 20 Janvier 2016 à 11:21 par Jonathan Riemain
