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Samsung : de la mémoire flash 30 nm 3 bits/cellule

Samsung vient de lancer la production d'une nouvelle de puces NAND. Le procédé de fabrication est en 30 nm, ce qui permet de réduire les couts. Cette nouvelle NAND MLC est également en 3 BPC, ou trois bits par cellule. Cela permet encore une fois de faire baisser le cout de production, mais cela grèvera également les performances. Pour rappel, la MLC des SSD actuels est en 2 BPC, et les puces SLC en 1 BPC.

mémoire flash Samsung 30 nm 3bpc

Pour le moment, Samsung va produire des puces de 4 Go, et les intègrera à des cartes micro SD grâce à un controleur spécifique, pour atteindre 8 Go d'espace de stockage en couplant deux puces.

Des clés USB devraient également profiter de ces nouvelles puces.

source : TC Mag

Marque : Samsung
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