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Samsung annonce l'arrivée de sa mémoire V-NAND TLC de 6 ème génération

Samsung y va également de sa petite annonce ce jour avec l'arrivée prochaine de la 6 ème génération de mémoire V-NAND 3 bits par cellule, donc TLC. Avec cette nouvelle génération de puce mémoire, Samsung passe d'une mémoire en 9x couches à 1xx couches, sans donner plus de précision. Cependant, on peut penser que Samsung était à 96 couches avant et passe maintenant à 128 couches comme ses concurrents.

Avec l'arrivée de cette nouvelle mémoire V-NAND, Samsung sera dans la capacité de proposer encore plus d'espace de stockage, tout en augmentant les performances de 10 %, mais aussi en abaissant la consommation de pas moins de 15 % et en améliorant la productivité de pas moins de 20 %.



samsung mémoire-nand-flash v-nand 6-eme-generation

Pour parvenir à de tels résultats, Samsung a développé un 3D charge trap flash (CTF) qui permet une interconnexion optimale entre les différentes couches et cela sans aucune perte. Mieux, Samsung est parvenu a diminuer de 20 % les holes qui permettent la communication entre les différentes couches.

Cette nouvelle mémoire est dores et déjà en production, mais elle devrait passée en production de masse en début d'année prochaine quand l'usine de Pyeongtaek en Corée assurera également la production de cette nouvelle V-NAND.

source : TPU
Marque : Samsung
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